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晶面生长速度与晶面发育大小有密切关系 §5.4晶面生长速度 晶面生长速度:晶面在单位时间内沿其法线方向 向外推移的距离 b1 b3 b4 b2 晶面法向生长速度与晶面相对大小的关系 a b 结论: 一个晶面的生长速度比相邻晶面慢时,在晶体生长过程中其晶面总是逐渐扩大;如果比相邻晶面快,其晶面在生长过程中有可能逐渐缩小,甚至最终被完全“淹没”而消失,此现象称为晶面间的“超覆”。 各晶面法向生长速度 a CDBCABDE b CDBCAB=DE 注意:当两相邻晶面夹角为锐角,生长速度快的晶面不会出现超覆现象。 §5.5决定晶体生长形的内因 (晶面的发育) 在晶体生长过程中,不同晶面的相对生长速度如何,在晶体上哪些晶面发育。 下面介绍有关这方面的几种主要理论。 1.布拉维法则 早在1855年,法国结晶学家布拉维从晶体具有空间格子构造的几何概念出发,论述了实际晶面与空间格子构造中面网之间的关系。 布拉维法则:实际晶体的晶面常常平行于面网密度大的面网;面网密度越大,相应晶面的重要性越大。 a>b 面网密度ABCDBC 布拉维法则图解 1 2 3 结论: 在一个晶体上,各晶面间的相对生长速度与它们本身面网密度的大小成反比,即面网密度越大的晶面,其生长速度越慢;反之越快。 2.居里—吴里夫原理 1885年居里(P.Curie)指出,在平衡条件下,发生液相与固相之间的转变时,晶体调整其形态使总的表面能为最小.亦即晶体生长的平衡形态应具有最小表面能。此原理可用下式表示: 当温度T、晶体体积V不变时 : 居里-吴里弗原理:对于平衡形态而言,从晶体中心到各晶面的距离与晶面本身的比表面能成正比 (即各晶面的生长速度与各晶面的比表面能成正比) 1901年吴里弗进一步扩展了居里原理。 3.周期键链(PBC)理论 从晶体结构的几何特点和质点能量两方面来探讨晶面的生长发育。 此理论认为在晶体结构中存在若一系列周期性重复的强键链,其重复特征与晶体中质点的周期性重复相一致,这样的强键链称为周期键链。晶体平行键链生长,键力最强的方向生长最快。 F F F S S S K F面:形成一个强键,放出较少键能,生长速度慢 S面:形成两个强键,放出键能高于F面,生长速度比F面快 K面:形成三个强键,放出键能最多,生长速度最快 §5.6影响晶体生长的外部因素 (1)环境的不均匀性 (2)温度 (3)杂质 (4)粘度 (5)结晶速度 (1)环境的不均匀性 理论上晶体生长的环境(温度、溶液的过饱和度)各个方向均匀一致,凡性质相同的面生长速度相同。 实际上,晶体生长环境不均匀。 涡流的存在使溶液物质供给不均匀,有方向性 温度的变化直接导致了过饱和度或过冷却度的变化,相应的改变了晶面的比表面能及不同晶面的相对生长速度,影响晶体形态。 (2)温度 (3)杂质 溶液中杂质常选择性的吸附在某种晶面上。杂质的存在可以改变晶体上不同晶面的表面能,所以其相对生长速度也随之变化而影响晶体形态。 (4)粘度 粘度的加大,将妨碍涡流的产生,溶质的供给只有以扩散的方式来进行,晶体在物质供给十分困难的条件下生成。由于晶体的棱角部分比较容易接受溶质,生长得较快,晶面的中心生长得慢,甚至完全不长,从而形成骸晶。 石盐的骸晶 (5)结晶速度 结晶速度大,则结晶中心增多,晶体长的细小,且往往长成针状、树枝状。反之,结晶速度小,则晶体长得极大。结晶速度还影响晶体的纯净度。快速结晶的晶体往往不纯,包裹了很多杂质。 §5.7晶体的溶解与再生 1.晶体的溶解 把晶体置于不饱和溶液中晶体就开始溶解。由于角顶和棱与溶剂接触的机会多,所以这些地方溶解得快些,因而晶体可溶成近似球状。 晶面溶解时,将首先在一些薄弱地方溶解出小凹坑,称为蚀像。 思考: 晶面的溶解与晶面的面网密度有没有关系? 不同网面密度的晶面溶解时,网面密度大的晶面先溶解,因为网面密度大的晶面网面间距大,容易破坏。 2.晶体的再生 破坏了的和溶解了的晶体处于合适的环境又可恢复多面体形态,称为晶体的再生. (1)晶体溶解时,溶解速度是随方向逐渐变化的,因而晶体溶解可形成近于球形; 晶体再生时,生长速度随方向的改变而突变.因此晶体又可以恢复成几何多面体形态。 (2)在生长过程中,面网密度大的面容易保留下来;在溶解过程中,面网密度大的面先溶解,最不稳定 溶解和再生不是简单的相反的现象。 水热法培养晶体的装置 高压釜; 籽晶; 培养晶体的原料 水热
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