集成电路设计第3部分幻灯片.ppt

* * 扩散系统 在炉管中进行重掺杂有两种方式:固态源掺杂、液态源掺杂。 大部分液态源杂质通过气相传输方式送入炉管。 盛放液体的密封容器被浸在恒温水槽中，在液体表面上方产生已知的杂质蒸汽压。 记过调节的惰性气体（氮气）气流被吹进起泡器中，产生N2和杂质蒸汽的混合气体，并送入炉管。 * * 扩散系统（续） 炉管气氛中杂质分压控制因素: 水槽温度 液体上方的蒸汽压 进入起泡器的气体流量与其他气体流量总和的比例。 旁路装置精确控制起泡器出来气流的通断，控制掺杂时间。 氧气源使氧气和炉管杂质气体反应。 * * 液态源扩散 起泡器装置 MFC：流量计 * * 液态源的缺点 腐蚀性很高。 起泡器需要加压，易爆。 液体上方蒸汽压随温度指数上升，扩散工艺对起泡器温度微小变化敏感。 易在晶圆表面形成不溶解的硅化合物。 * * 固态源掺杂 与被扩散晶圆大小近似的固态源片和晶圆交替放在扩散炉管的舟槽中。 P型杂质使用氮化硼（BN），在750-1100℃形成挥发性HBO2，向晶圆表面扩散，在其表面形成硼硅玻璃----向衬底扩散的硼源。 N型杂质使用砷、磷，磷源是用惰性陶瓷粘合剂热压形成的单磷酸铵或者二磷酸铵。砷源利用砷酸铝。 * * 高温扩散炉 高温扩散炉的发展趋势是从卧式向立式方向发展。目前半导体生产用扩散炉控温水平在±0.5℃上。 国外的主要制造厂家有： 美国BTV、THERMCO、ASM、Tylan、SVG公司。 日本的国际电气公司、光洋公司等。? * * 锌杂质（续） 替位-填隙扩散速度快于空位扩散。其中锌以两种形式存在：带正电的填隙式离子Zn+，替位型离子Zn-。 Zn+，浓度低、扩散快。Zn-，通过中性空位交换，速度慢。 Zn+，遇到镓空位，被俘获，失去两个空穴，变成Zn-，扩散速度降低。 * * 锌杂质（续） 锌预沉积扩散 * * 锌杂质（续） 直到杂质浓度降低之前，扩散率很大，浓度降低，扩散率也降低，杂质分布边缘变陡。 由于镓空位多重带电，以及替位型离子和填隙型离子形成离子对，扩散曲线尾区出现转折现象。 * * 锌杂质（续） 锌扩散模型与实验比较 * * 常见杂质的扩散率（续） 硅杂质 硅是IV族元素，在GaAs中既可以是P型杂质，也可能是N型杂质。 两种晶格位置上硅原子浓度之差就是载流子浓度。 当原子浓度的差值比每一个分量小的时候，为高度补偿半导体。 通过相邻晶格位置上一对杂质原子与一对相邻的空位进行交换进行扩散。 * * 硅杂质（续） 在退火处理观察扩散结果。SiGa+ 原子通过与不带电的或者带三个负电荷的镓空位交换 位置进行扩散。 SiAs- 原子扩散与镓原子无关。 SiGa-SiAs原子耦合对不移动。 试验发现LEC法制备的镓空位浓度低的富镓GaAs中，硅的扩散率明显降低。 * * 退火处理后的硅扩散 940℃，980 ℃ ，1000 ℃ ，10分钟退火 1050 ℃ ，3分钟退火 * * 扩散分布的分析 分析的目的是获得深度、横向位置的杂质浓度。 通过测量扩散区的薄膜电阻可以获得杂质的分布信息 测量薄膜电阻有两种方法：四探针法，范德堡法。 * * 四探针法 四探针可以排列成不同形式，常见的是排成直线。 V 圆片 I * * 四探针法（续） 外面的两根探针之间施加电流，在里边的两根探针之间测量电压。 安培定律计算获得薄层电阻，乘以几何修正因子。 几何修正因子与探针排列形状，探针距离与扩散区深度的比值相关。 对于直线排列，探针间距远大于结深时，修正因子为4.5325。 * * 四探针法注意事项 扩散区下边的衬底必须绝缘，或者衬底电阻率远大于被测扩散层的电阻率。或者被测扩散层和衬底之间必须形成一个反偏的二极管。 控制探针压力，避免穿透PN结。 需要考虑PN结附近耗尽区的影响。 * * 范德堡测量法 V I 通过接触样品边缘的四个位置进行。 在一对相邻的接触点之间施加电流。 在另一对接触点之间测量电压。 * * 范德堡测量法（续） 为提高精度，将探针接法旋转90°，重复四次，求平均结果： F（Q）是一个与探针排列有关的修正因子。正方形的排列F（Q）=1 * * 范德堡测量法注意事项 必须准确测量样品的几何尺寸。 对于正方形样品，接触点必须做到样品的四个侧壁上 工艺中将晶圆切割成四方形，在边缘上作欧姆接触。 通过光刻确定一个范德堡结构图形，并用氧化层隔离或者PN结隔离限制扩散区形状。 * * 结深的测量 为扩散分布更完整的描述,需要对结深进行测量。 用机械方法在晶圆上磨出一个已知直径的凹槽，将其浸入染色液中。 溶液的腐蚀速率取决于载流子的浓度和类型。 * * 结深的测量（续） P型硅采用1:3:10的HF:HNO3:C2H4O2混合液，腐蚀时样品变黑。 GaAs