集成电路设计第4部分幻灯片.ppt

* * 其他对注入效果的影响 注入剂量率检测误差。-----法拉第杯来解决。 污染。 颗粒污染，会造成遮挡效应。-----正确的操作流程、无夹具固定晶圆来解决。 杂质污染，-----氧化膜注入屏蔽，注入后再去掉氧化膜。 碳氢化合物污染，----隔离扩散泵和粒子束通道、冷泵或分子泵。 重金属杂质污染，-----用石墨或不含铜的铝做光阑取代不锈钢光阑。 交叉污染，-----注入机专用特定杂质注入。 * * 新工艺----等离子体浸没掺杂 等离子体浸没掺杂（PIIID：plasma immersion ion implantation doping）技术最初是1986年在制备冶金工业中抗蚀耐磨合金时提出。 亦称等离子体离子注入、等离子体掺杂或等离子体源离子注入掺杂。 * * PIIID离子注入的发展历史 1988年，该技术开始进入半导体材料掺杂领域。 用于薄膜晶体管的氧化、高剂量注入形成埋置氧化层、沟槽掺杂、吸杂重金属的高剂量氢注入等工序。 * * PIIID离子注入的发展历史 近几年来，该新技术已成为发表在一些国际性半导体期刊上学术论文的主题。 商用系统也有一些厂商提供技术和设备。 * * PIIID技术的原理 ? 与传统注入技术不同，PIIID系统不采用注入加速、质量分析和离子束扫描等工艺。 * * PIIID技术的原理 在PIIID操作系统中，一个晶片放在邻近等离子体源的加工腔中，该晶片被包含掺杂离子的等离子体所包围。 当一个负高压 施加于晶片底座时，电子将被排斥而掺杂离子将被加速穿过鞘区而掺杂到晶片中。 * * PIIID技术的原形系统 * * PIIID技术的优点 PIIID技术用于CMOS器件超浅结制备的优点： 以极低的能量实现高剂量注入。 注入时间与晶片的大小无关。 设备和系统比传统的离子注入机简单，因而成本低。 * * PIIID技术的优点 这一技术高产量、低设备成本的特点符合半导体产业链主体发展的方向，此为将该技术用于源-漏注入的主要原因。 目前，PIIID技术已被成功地用来制备0.18mm CMOS器件，所获得器件的电学特性明显优于上述传统的离子注入技术。 * * PIIID技术的主要缺点 硅片会被加热、污染源较多、与光刻胶有反应、难以测定放射量。 现在PIIID系统的污染已经稳定地减小到半导体工业协会规定的标准，减小与光刻胶的反应将是今后PIIID技术应用之关键。 * * 离子注入机 离子注入机分中束流、强束流和高能机三种，前两种在半导体生产线上得到广泛应用。 美国Eaton和Varian是世界上最大的离子注入机制造公司，其次是日本。 * * 离子注入机 中束流机，美国占优势，如Varian的NV~6200和NV~8200、3500都是较先进的产品。 强流机有美国Varian的80XP、160XP；Eaton的NV~10~160；Veeco的4840。日本日新的PR~80A、日立的IP~825都是较先进的产品。尤其是美国的AM公司的PI~9200，是强流机中最先进的，也是当前全世界销路最好的产品。 近年来，德、日、美等国新研制的射频四极加速的高能离子注入机，是该领域一个重大突破。 * * 常见注入杂质投影射程和标差（续） 氟、氧、氩、硅 硫、硅、硒、碲 * * 常见注入杂质投影射程和标差（续） 碳、锌、铬 硼、磷、砷 * * 常见注入杂质投影射程和标差（续） 硅、硼、氢、磷 * * 注入离子浓度分布 引入高次矩描述浓度分布特点。分布的i 次矩可以描述为： 一次矩是归一化剂量。 二次矩是剂量和射程标准偏差的乘积。 三次矩与分布的非对称性有关。非对称性用偏斜度表示。 四次矩与高斯峰的畸变有关。畸变用峭度表示。 * * 注入离子浓度分布（续） 标准高斯分布。 负偏斜度，峰值略向深度方向偏移，并额外增加尾部向表面延伸程度。 大的峭度使分布峰值平坦化。 * * 注入离子浓度分布（续） 偏斜度为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加。 即：xRp区域浓度增大。 例：硼注入硅，硼比硅要轻，出现了显著的背散射，结果硼分别的偏斜度是一个大的负值。 峭度越大，高斯分布的顶部越平坦 ，标准的高斯分布峭度为3 。 * * 金刚石的空间点阵 沿主晶轴方向 随机方向 * * 沟道效应和横向投影射程 沟道效应 如果离子速度方向和单晶体主晶轴平行时，部分离子会行进很长距离，能量损失很小。 由于离子进入了沟道，核阻滞作用很小，沟道中电子密度很低，只产生近似弹性的、掠射性的沟道内碰撞。 在晶格缺陷或者杂质的作用下，离子停止或者脱离沟道。 沟道效应一般用临界角描述： * * 沟道效应和横向投影射程 A C B A C B 倾斜入射 完全对准入射 * * 沟道效应和横向投