集成电路设计第5部分幻灯片.ppt

* * 堆垛层错和温度的关系 干氧氧化 湿氧氧化 高温低温都不利于OSF的生长 * * 氧化系统 氧化膜生长大多是一炉同时进行。多达150片的硅片被一起装到炉子里，在那里同时被氧化。 因为氧化是由温度决定的，沿着管子整个氧化区长度上的温度参数被严格控制。 炉管通常有三种：传统的卧式、立式炉管、快速热处理器RTP 。 直到八十年代中期，热壁卧式扩散炉一直是IC制造产业的主力。 之后立式炉管开始将其取代， 现在RTP在某些应用中正在取代立式炉管。 在热预算及产出能力都很重要的工序中，小批次快速升温的立式炉管在和RTP进行竞争。 * * 氧化系统（续） 卧式氧化/扩散系统 气源柜： 装在高压钢瓶中的气体源，产生进入扩散炉的气体的可控流量装置。包括压力表、气动阀、气体过滤器，气瓶在扩散炉末端，与支架垂直，支架含有附加阀门和质量流量控制器。 扩散炉： 四根长炉管垂直叠放，电阻丝绕在高纯度陶瓷结构上，尺寸可以容纳150～300mm直径的熔融石英管。分三个加热区，热电偶在三个位置监控温度，要求在400 ～ 1200℃小于0.5℃的误差。 * * 卧式氧化/扩散系统（续） 装片台： 将硅片装进熔融石英舟，每个垂直支架内容纳25片晶圆，在装到能容纳200片晶圆的搬运器，后续发展为悬臂装载系统，再发展为软着陆装片系统。 微机控制系统： 控制扩散炉的所有操作，温度控制器，扩散炉控制器和设备管理计算机连接，实现扩散炉的完全自动化。 * * 卧式氧化/扩散系统 气源柜 炉体柜 装片台 计算器控制器 供电部分 炉管 热藕 加热元件 四个组成部分 * * 卧式氧化/扩散系统 * * 氧化系统（续） 立式氧化/扩散系统 常用于大直径晶圆，晶圆从炉子底部推进到炉管内。 立式系统有五个优点： 在扩散炉口径变大以后，恒温区的横截面温度差卧式炉比立式大得多，立式炉更能满足工艺要求。 立式扩散/氧化炉能够控制氧气浓度达20~30ppm，为达到特殊工艺要求甚至更低，使之满足薄膜工艺要求。 有利于满足自动化水平，实现自动装卸片。 工艺过程中硅片在高温状态易变形,水平放置硅片变形小。 高温扩散及硅片破碎时，立式炉不需要清洗反应管和石英舟，反应部位的粘附物、颗粒少。 * * 立式扩散炉平面图 25片晶圆的片盒放进传送器。 晶圆传送到加工片架。 片架升高进入扩散炉。 * * 立式扩散炉 * * 立式扩散炉--小批量快速升温扩散炉 迅速地将50片/批的硅片的温度升到热处理温度，在完成热处理后又很快地将其冷却。 升温速率从传统炉管的10-20℃/min提高到100℃/min，降温速率为60℃/min（传统炉管5℃/min）。 这使得在短得多的总周期内加工更小批量的硅片成为可能。 * * ＳｉＯ２的结构 熔融石英中一些氧原子——氧桥位，和两个硅原子键合。 一些氧原子没有氧桥，只和一个硅原子键合。 SIO２由任意方向的多面体网络组成。有氧桥位的部分越大，氧化层黏合力越大，受损伤的倾向越小。 干氧氧化的有氧桥比率远大于湿氧氧化的有氧桥。 * * ＳｉＯ２的杂质 最常见的杂质是与水有关的化合物。 如果氧化层生长中有水，可能一个氧桥还原为两个氢氧基： 　　　Ｓｉ：Ｏ：Ｓｉ——〉Ｓｉ：Ｏ：Ｈ＋Ｈ：Ｏ：Ｓｉ 氢原子键合很弱，在电应力和离化辐射的情况下断裂，在氧化层中留下陷阱或电荷态。 杂质被掺杂到ＳｉＯ２中改善其物理性能。 取代硅原子的替位型杂质被称为网络构成者，常用硼、磷。 这些杂质倾向于减小有氧桥和无氧桥的比例，使ＳｉＯ２能在较低温度下流动。 * * 热氧化层中的杂质 * * ＳｉＯ２的特性 氧化层厚度的测量包括：物理测量、颜色变化测量、椭圆偏振光测量、干涉法测量、电子技术测量、电容电压测量。 物理测量： 利用掩蔽腐蚀的方法产生台阶。HF对SiO2的腐蚀速率远大于Si。将掩蔽膜覆在晶圆上，在HF中浸泡。 去掉掩蔽膜，留下接近等于氧化层厚度的台阶。 用SEM测量大于100nm的台阶，用TEM测量小于100nm的台阶。 利用表面轮廓曲线仪测量台阶厚度。机械扫描、记录针测量、位移放大等方式。分辨率达到0.2nm。 * * 颜色变化测量 将无掩蔽膜的晶圆的一部分浸入稀释的HF中。晶圆被浸没部分氧化层全部腐蚀掉。 在腐蚀和未腐蚀的氧化层之间的交线附近有一个缓变的坡度。 在显微镜下观察可从浅褐色开始的颜色变化——入射光和反射光干涉产生。 随着颜色向上直到氧化层定点，测量其近似厚度。 * * 颜色变化测量（续） 颜色 SiO2厚度（?） Si3N4厚度（ ? ） 颜色 SiO2厚度（?） Si3N4厚度（ ? ） 银色 270 200 黄色 2000 1500 褐色 530 400 橘红 2400 1800 黄褐色 730 550