电子的有效质量是一个标量.pptVIP

第三章 均匀半导体 在第1章，我们讨论了一维晶体中的电子在两种情况下的能量-波失关系。在自由电子近似中，假设势能是常数。E-K关系有如下的形式 在这种情况下，牛顿定律是成立的。注意到对于自由电子的情况，不存在来自晶体的附加的力，一次采用真正的经典方程和自由电子的真实质量。 下面考察作用在电子上的力。根据经典力学 在准经典力学中，对于带底附近的电子，势能 等于 ,并且 3.1.2 三维晶体 在经典力学中，我们用E-K关系来求有效质量，并据此推断电子的行为，例如在外加电场下的运动。记得在第1章，我们通过讨论布洛赫波函数得到了一些关于E-K图的—般形状和性质的知识(例如，关于K的周期性、在布里渊区中心的斜率为零，等等)。 一维情况下关于E-K图的讨论和准经典力学中用到的有效参数可以推广到二维和三维的情况。这里给出三维晶体的结果。 1、 三维布洛赫波由下式给出： 2、 任意一个能带的 关系在 空间是周期性的，周期为 3.2 导带结构 GaAs导带能量的绝对最小值位于K=0处。由于立方结构的对称性，最小值附近E-K图的曲率，从而 在任何运动方向上都是相同的。因此，对于GaAs，导带底附近电子的有效质量是一个标量。测得GaAs的电子有效质量是0.067m0，m0是自由电子的静止质量。GaAs就是一种在布里渊区100方向边界处两个能带具有相同能量的材料，因此，在边界处， E-K关系曲线的斜率不为零，但是两个E-K关系曲线斜率的和等于零。 3.3 价带结构 虽然半导体的导带结构随材料不同而不同，但是大多数电子学中有重要应用的半导体材料的价带结构都是类似的。价带结构一般比导带结构简单，包含3个交叠的能带。这3个能带的绝对最大值都在K=0处，但是E-K关系的曲率不同，因此有效质量也不同，如图3.4所示。 在 K=0处的两个能带具有相同的最大值。h和l这两个带分别代表重空穴(较小曲率)和轻空穴 (较大曲率)。第三个能带向下分裂了能量 ，这是自旋—轨道耦合导致的。这种自旋—轨道相互作用来自于电子个体的自旋形成的磁场和电子轨道的磁场的影响，这个分裂能带用s来表示。 3.4 本征半导体 一个半导体如果没有杂质和晶格缺陷，就称它是本征的。我们将看到，本征意味着导带中电子的浓度(单位体积的数日)等于价带中空穴的浓度。 在绝对零度时，对于本征半导体，电子占据了价带中所有的电子能态，导带中的所有能态即是空的。这是因为在绝对零度，每一个电子都处于可能的最低能态。 在稍高的温度下，电子获得从晶格传递过来的热能。晶体中的原子会发生振动，晶格的振动以波的形式在晶体中传播，这种声学波也叫声子，每个声子都是具有能量和波矢。像子和光子一样，声子可以当作是波，也可以看作粒子。 声子可以将电子从价带激发到导带，这样就在价带留下一个空态或空穴。这个导带的电子是准自由的，价带的空穴也是准自由的。电子和空穴一起称做电子—空穴对。如果电子一空穴对是通过吸收声子产生的。我们就把这个过程称为热产生。因为声子或晶格振动携带晶体的热能．如果激发的能量是由光子提供的，这个过程就叫做光产生。 3.5 非本征半导体 在本征半导体中，导带电子的浓度等于价带空穴的浓度。通过加入掺杂原子，可以让电子和空穴的数目不等，在这种情况下，材料就是非本征的。如果一个半导体的的 ，称之为非本征半导体。通过添加杂质原子到本征材料中，就可以形成非本征半导体(这个过程叫掺杂)。如后面将介绍的，掺杂原子可以是施主，也可以是受主。 如果 ，那么半导体就是n型的，意味着电流主要由带负电的电子携带。如果 ，那么半导体就是P型的，电流主要由带正电的空穴携带。 3.5.1施主 假设 一个外层有5个电子的原子，例如磷(P)．替代了纯硅晶体中的一个Si原子，如图3.6（a）的价键图所示。Si是4价。磷原子多余的一个电子不需要参与构成共价键，因为已经有足够的电子构成共价键了。因此，多余的这个电子就比共价键的电子受磷原子的束缚弱。正如我们将看到的，这个电子很容易“贡献”给导带，因此磷原子称为施主原子。 3.5.2 受主 除了向半导体中掺杂施主，还可以掺杂外层电子数比被替代原子的电子数少的杂质。我们来看Si(4个价电子)个掺杂有3个价电子的硼原子的情况。图3.8（a）描述了掺人硼原子的Si是如何成为P型材料的。在Si中，硼叫做受主。我们知道，原子通常总是倾向于填满外面的壳层，即使是通过共享电子的方式。B原子周围的Si原子都希望有8个外层电子．但是总数却少一个。如果邻近的Si原子能提供一个电子占据这个空态，价键就填满了。但是硼原子就变成带负电的了，因为这时它的电子数多