[工程科技]第十七讲 晶体器件特性课件学习.pptVIP

电工电子技术第十七讲2007.4.18 2.4.4、稳压二极管 2. 主要参数 4. 稳压管稳压电路稳压原理 4. 温度对晶体管特性的影响 对晶体管输出特性的影响 1.3.6. 光电三极管 图1.3.11 光电三极管的输出特性曲线 习题：1.4.1、1.5.1 O 2.晶体管输出特性曲线 IC = g (UCE ) | IB = 常数 IB 减小 IB增加 UCE IC IB = 20μA IB =60μA IB =40μA 第1章 上页 下页 返回 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE 晶体管输出特性曲线分三个工作区 UCE /V IC / mA 80 60 40 0 IB= 20 μA O 2 4 6 8 1 2 3 4 截止区 饱和区 放大区 第1章 上页 下页 返回 晶体管三个工作区的特点: 放大区: 截止区: 饱和区: 发射结正偏,集电结反偏 有电流放大作用, IC=βIB 输出曲线具有恒流特性 发射结、集电结处于反偏 失去电流放大作用, IC≈0 晶体管C、E之间相当于开路 发射结、集电结处于正偏 失去放大作用 晶体管C、E之间相当于短路 第1章 上页 下页 返回 3.主要参数 集电极基极间反向饱和电流 ICBO 集电极发射极间穿透电流 ICEO ICEO=(1+β)ICBO 交流电流放大系数β=△IC / △IB 第1章 上页 下页 直流电流放大系数β=IC / IB 电流放大系数 极间反向饱和电流 返回 ICEO C B E μA μA ICBO C E B 集电极最大允许电流 ICM 集-射反向击穿电压 U(BR)CEO 集电极最大允许耗散功率 PCM 过压区 过流区 安全工作区 过损区 PCM=ICUCE UCE/V U(BR)CEO IC/mA ICM O 使用时不允许超 过这些极限参数. 第1章 上页 下页 极限参数 返回 返回 对输入特性的影响 返回 返回 返回 用途：光电信号传输、系统隔离等 1.4场效应管 上页 下页 返回 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，绝缘栅型场效应管的应用最为广泛，这种场效应管又称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOS）。 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 增强型 耗尽型 按其导电类型可将场效应晶体管分为N沟道和P沟道两种，按其导电沟道的形成过程可分为耗尽型和增强型两种。 因而就出现了四种不同形式的场效应晶体管，它们是： 1.6.1 基本结构和工作原理 1.结构 B D G S N沟道增强型结构示意图 图形符号 第1章 上页 下页 返回 B G栅极 D漏极 SiO2 P型硅衬底 S源极 N+ N+ 2.工作原理 D与S之间是两个 PN结反向串联，无论 D与S之间加什么极性 的电压，漏极电流均 接近于零。 (1) UGS =0 结构示意图 衬底引线B UDS ID = 0 G D S P型硅衬底 SiO2 栅源电压对导电沟 道的控制作用 第1章 上页 下页 N+ N+ 返回 (2) 0 UGS UGS(th) 由栅极指向衬底方 向的电场使空穴向下 移动,电子向上移动。 UDS SiO2 G D S B 结构示意图 P型硅衬底 N+ N+ ID = 0 UGS 在P型衬底表面形 成耗尽层。 第1章 上页 下页 返回 * 主要内容： 1.晶体二极管 2.晶体三极管 3.场效应管 美国弗吉尼亚理工大学枪击案 遇难教师利布雷斯库教授 期中考试日期：：4月28号（星期六） 考试内容：学过的四章（1、2、9、10） 考试时间：120分钟 考试地点：主349 ： 330511~12，330551 主303 ： 350931，351401 1.4.2 二极管的特性和主要参数 1.4.3 二极管的电路模型 1.4.4 稳压二极管 1.4.1 PN结及其单向导电性 1.4 晶体二极管 第1章 1.本征半导体 完全纯净 的具有晶体 结构的半导 体称为本征 半导体 。它 具有共价键 结构。 锗和硅的原子结构 单晶硅中的共价键结构 价电子 硅原子 第1章 1.4.1 PN结及其单向导电特性 在半导 体中，同 时存在着 电子导电 和空穴导 电。空穴 和自由电 子都称为 载流子。 它们成对 出现，成 对消失。 在常温下自由电子和空穴的形成 复合 自由电子 本征 激发 第1章 空穴 2. N型半导体和P型半导体 原理图 P 自由电子 结构图 磷原子 正离子 P+ 在硅或锗中掺 入少量的五价元 素，如磷或砷、