电子技术基础 三极管.pptVIP

第3讲 晶体三极管 三极管的种类 工作频率：高频管，低频管 耗散功率：大，中，小功率管 半导体材料：硅管，锗管 常见的有平面型和合金型两类，硅（Si）管主要是平面型，锗（Ge）管主要是合金型 1、 三极管的结构及类型 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故又称为双极型晶体管，简称晶体管或三极管。 两个PN结，把半导体分成三个区域。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN型和PNP型。 2、 晶体管电流控制作用 1. 基本共射放大电路 产生放大作用的条件 　内部条件：a）发射区杂质浓度 　　　　　　　　　　　基区集电区 b）基区很薄 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 对于NPN型三极管，在以上条件下，晶体管3个电极的电位关系是：UCUBUE 对于PNP型则为：UCUBUE 必须牢记 晶体管各极电流的分配情况： 集电极：IC=ICE+ICBO 基极：IB=IBE-ICBO 发射极：IE=ICE+IBE 三个电极的电流关系为： IE=IC+IB 电流放大系数β= IC /IB ，表征晶体管的电流放大能力。 实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有。IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电