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2.3　半导体三极管的 　　基本分析方法 引 言 2.3.2 交流分析 2.3.1 直流分析 第 2 章　半导体三极管 引　言 基本思想 非线性电路经适当近似后可按线性电路对待， 利用叠加定理，分别分析电路中的交、直流成分。 一、分析三极管电路的基本思想和方法 直流通路(ui = 0)分析静态。 交流通路(ui ? 0)分析动态，只考虑变化的电压和电流。 画交流通路原则： 1. 固定不变的电压源都视为短路； 2. 固定不变的电流源都视为开路； 3. 视电容对交流信号短路 第 2 章　半导体三极管 基本方法 图解法： 　　在输入、输出特性图上画交、直流负载线，求静态工作点“Q”，分析动态波形及失真等。 解析法： 根据发射结导通压降估算“Q”。 用小信号等效电路法分析计算电路动态参数。 第 2 章　半导体三极管 二、电量的符号表示规则 A A A 大写表示电量与时间无关(直流、平均值、有效值)； A 小写表示电量随时间变化(瞬时值)。 大写表示直流量或总电量(总最大值，总瞬时值)； 小写表示交流分量。 总瞬时值 直流量 交流瞬时值 交流有效值 直流量往往在下标中加注 Q A — 主要符号； A — 下标符号。 t u O uBE = UBE + ube 第 2 章　半导体三极管 2.3.1 直流分析 一、图解分析法 + – RB RC + uCE – + uBE ? + – VCC VBB 3 V 5 V iB iC 输入直流负载线方程： uCE = VCC ? iC RC uBE = VBB ? iBRB 输出直流负载线方程： 输入回路图解 Q uBE/V iB/?A 静态工作点 VBB VBB/RB 115 k? UBEQ IBQ 0.7 20 输出回路图解 uCE/V iC/mA VCC VCC/RC O 1 k? Q 2 3 UCEQ ICQ O iB = 20 ?A 第 2 章　半导体三极管 二、工程近似分析法 + – RB RC + uCE – + uBE ? + – VCC VBB 3 V 5 V iB iC 115 k? 1 k? ? = 100 第 2 章　半导体三极管 三、电路参数对静态工作点的影响 1. 改变 RB，其他参数不变 uBE iB uCE iC VCC VBB VBB RB Q Q R B? ? iB ? Q 趋近截止区； R B? ? iB ? Q 趋近饱和区。 2. 改变 RC ，其他参数不变 RC? Q 趋近饱和区。 iC uBE iB uCE VCC UCEQ Q Q ICQ VCC RC 第 2 章　半导体三极管 iC ? 0 iC = VCC /RC 例 2.3.1 设 RB = 38 k?，求 VBB = 0 V、3 V 时的 iC、uCE。 + – RB RC + uCE – + uBE ? + – VCC VBB 3V 5V iB iC 1 k? [解] uCE/V iC/mA iB= 0 10 ?A 20 ?A 30 ?A 40 ?A 50 ?A 60 ?A 4 1 O 2 3 5 当VBB= 0 V： iB ? 0， iC ? 0， 5 V uCE ? 5 V 当VBB = 3 V： 0.3 uCE ? 0.3 V ? 0， iC ? 5 mA 三极管的开关等效电路 截止 状态 S B C E VCC + ? RC RB iB ? 0 uCE ? 5V iB 饱和 状态 uCE ? 0 判断是否饱和 临界饱和电流 ICS和IBS ： iB IBS，则三极管饱和。 第 2 章　半导体三极管 例 2.3.2 耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 M?，RS = 2 k?，RD= 12 k? ，VDD = 20 V。IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，求 iD 和 uO 。 ? iG = 0 ? uGS = ? iDRS iD1= 4 mA iD2= 1 mA uGS = – 8 V UGS(off) 增根 uGS = – 2 V uDS = VDD – iD(RS + RD) = 20 – 14 = 6 (V) uO = VDD – iD RD = 20 – 14 = 8 (V) 在放大区 RD G D S RG RS iD + uO – + VDD – 第 2 章　半导体三极管 2.3.2 交流分析 一、图解分析法 线性 非线性 线性 输入回路 (A 左) (B 右) 输出回路 (B 左) (A 右) + – RB RC + uCE – + uBE ? + – VCC VBB i