单晶硅及其杂质和缺陷.pptVIP

第4章 单晶硅材料 第5章 单晶硅中的杂质和位错 主要内容： 硅的基本性质 高纯多晶硅的制备 高纯单晶硅的制备 单晶硅中的杂质 单晶硅中的位错 什么样的温度控制才能生长单晶？——根据晶体生长理论来进行设计 结晶学把晶体生长过程看作是成核长大过程。这个过程分为两个阶段，成核阶段和生长阶段。 在人工晶体生长系统中，为了在所希望生长的地方生长出单晶，必须严格控制生长系统中的成核率。通常采用设置非均匀相变驱动力场的方法，使生长系统中的相变驱动力有一定的合适的空间分布。所谓驱动力场是指生长系统中驱动力在空间的分布。 晶体-流体界面附近 负相变驱动力， Δg＜0 晶体生长 其余部分 正相变驱动力， Δg＞0 成核率为零 在直拉法生长的情形，生长驱动力场是与熔体中温度场相对应的，因此可以用改变温度场的方法来获得合理的驱动力场。在直拉法熔体生长系统中，要求熔体的自由表面的中心处，存在负驱动力（熔体具有一定的过冷度），熔体中其余各处的驱动力为正（为过热熔体），且越离液面中心其正驱动力越大，并要求驱动力场（温度场）具有轴对称性。在这样的驱动力场中，用籽晶生长，就能保证生长过程中不会发生不希望有的成核事件。 4.6.2 新型直拉单晶硅的生长技术 1 磁控直拉单晶硅的技术 晶体生长时，可在水平方向，亦可在垂直向加磁场，分别称之为横向磁场和纵向磁场垂直磁场。 目的：为了抑制热对流，减少氧杂质。 原理：由于熔体硅具有导电性,在磁场的作用下,熔体的流动必然引起感生电流,于是产生洛伦兹力,在洛伦兹力的作用下,熔体内的热对流得到抑制,晶体熔体界面处的氧、点缺陷及其它杂质也可得到控制在横向磁场下,轴向的热对流被抑制,径向不受影响, 在轴向磁场下,径向的热对流被抑制,轴向不受影响。 (1)有效降低和控制氧浓度 氧浓度问题是研究磁场法的出发点。由于磁场能有效抑制熔硅的热对流，改变磁场强度又可控制熔硅的热对流，于是控制了熔硅与石英坩埚的反应速率，因而控制了来自石英坩埚中的氧，使得MCZ硅中的氧合量只有CZ硅的十分之一，而且可以控制。 (2)获得无生长条纹的晶体 加磁场使熔硅的粘度增加，阴碍了熔硅的流动，因而大大减弱了机械振动所引起的熔硅液的抖动，热对流的抑制又大大减小了熔硅的温度波动，使液面极为平静，因而可拉制无生长条纹的晶体。 磁场的作用： 2 重装料直拉单晶硅 通常，单晶硅棒形成后，留在炉膛内，随炉冷却到室温，再取出。这时，剩下的石英坩埚中的多晶硅也会凝固，体积增大，导致石英坩埚破裂，最终增加了成本。 采用重装料直拉单晶硅设备，就是在单晶硅棒收尾后，迅速移走，然后在籽晶轴上装上多晶硅棒，让多晶硅棒熔入熔体，增加熔体，然后在装上籽晶，生长单晶硅。此过程为连续生产过程，节省了大量的时间，而且石英坩埚可以重复利用，节约了大量的成本，在太阳能电池单晶硅的生产中得到了广泛的应用。 3 连续加料直拉单晶硅 在直拉单晶硅生长时，源源不断地在熔硅中加入多晶硅，使熔硅液面保持不变，每生长一根单晶硅棒，就移出炉外，这样就可以进行连续生长。 加料技术三种： 固体加料：利用真空传送系统，直接向熔硅中加入颗粒状多晶硅。 液体加料：设备分为生长炉和熔料炉，两者之间有传送管，熔料炉专门熔化多晶硅，利用不同压力控制，输送到生长炉中。 双坩埚液体加料：一个炉体，两个坩埚，一个用于生长，一个用于熔料，两坩埚相连，使得生长坩埚的液面保持不变。 前景很好，但是应用不广泛。 4 太阳能用直拉三晶硅晶体生长 籽晶是由三个晶向都是＜110＞的单晶共同组成，在三晶硅中存在三个孪晶界，都垂直于(110)面，孪晶界之间的夹角为120度。生长技术与传统的直拉法基本相同。 优点： 晶体生长过程中生长速度较快，缩短时间。 机械强度较普通直拉单晶硅高很多，硅片可以加工的很薄，达到150微米。 4.6.3 直拉单晶硅的掺杂 1 分凝现象和分凝系数 两种或两种以上的元素构成固溶体，熔化后，凝固结晶的过程中，含量少的杂质（浓度小的元素）在晶体和熔体中的浓度不同的现象。 分凝现象（偏析现象）： 平衡分凝系数： 固溶体结晶时，如过固相和液相接近平衡状态，即以无限缓慢的速度从熔体中凝固出固体，在固相中这种杂质的浓度为cS，液相中该杂质的浓度为cL，那么两者的比值k0称为该杂质在此晶体中的平衡分凝系数： K01时，意味着晶体生长时，杂质在固体中的浓度始终要小于在熔体中的浓度，杂质在熔体中富集，最终导致单晶硅棒尾部的杂质含量高于晶体的头部。 对于不同的杂质，在硅中的平衡分凝系数K0也是不同的： K01时，意味着晶体生长时，杂质在固体中的浓度始终要大于在熔体中的浓度，杂质在熔体中的浓度越来越小，最终导致单晶硅棒尾部的杂质含量低于晶体的头部。 K0=1时，意味着晶