宜普eGaNFET应用已准备就绪-第5阶段测试-EPCCo.PDFVIP

可靠性報告 第5階段測試 宜普eGaN®FET應用已準備就緒- 第5階段測試 EFFICIENT POWER CONVERSION 宜普電源轉換公司質量及可靠性監控總監馬艷萍博士 宜普電源轉換公司的增強型氮化鎵 ( e G a N ® ) F E T 雖然與標準功率 流焊曲線圖[13] 。如果有需要，底部填充物可 M O S F E T很相像，卻可以提供矽基元件無法提供的性能 [1] 、可以提 使用Loctite Hysol FP4549Si [8]和Shin-Etsu SMC375X7 [9] 。 升電源轉換器的效率和同時保持原有的簡單設計 [2,3,4] 。在第一代 eG aN FE T和其第二代40V與100V產品推出後,宜普又在2011年推出 了第二代200V元件系列[5] 。所有第二代產品都是無鉛、無鹵化物且 可靠性測試結果 符合有害物質條例(R oHS) 的元件。宜普至今已採取了許多降低產品 表1總結了第一代eGaN FET 的測試結果 ，而 失效風險的措施，包括在各個應力條件下測試超過1800個元件及用 表2總結了第二代產品的測試結果。在最大 了170萬多小時測試元件的可靠性。這些測試結果證明我們已經作 額定溫度下受應力測試的第一代和第二代元 件數量超過1800個，其總測試時間超過170 好準備去利用eG aN FE T來代替之前于商用電源開關應用中，被普遍 萬元件小時。從所有測試結果可以看到，在 使用但性能卻受限的矽元件。本應用筆記主要討論第二代200V元件 整個應力測試期間，我們的元件電氣參數都 的可靠性測試結果，在第四階段報告之後所完成的其他新測試 [13] ， 保持穩定。 以及根據應力測試計算元件的失效率。 在宜普公司網站上可看到第一階段至第四階 段的測試報告,詳盡記錄eGaN FET 測試結果 和分析[10, 11, 12, 13] 。我們將在以下文章討論 可靠性測試概述 在應力偏置測試完成後，我們使用直流電氣 測試第二代200V產品所取得的最新結果和從 宜普的eGaN FET經歷了功率MOSFET通常要 測試驗證其穩定性，並在室溫條件下，在計 第四階段報告後所取得的其他測試結果。 時零點和臨時讀取點測量電氣參數，然後把 經受的各種應力測試，這些測試包括: 閘極-源極漏電流、汲極-源極漏電流、閘極 閾值電壓和導通電阻等電氣參數值與數據表 高溫反向偏壓 • 高溫反向偏壓(HTRB):在最大額定溫度下 上的指標進行比較。當某個元件的電氣參數 在高溫反向偏置( H T R B ) 測試過程中，元件 施加汲極-源極電壓 值超出數據表的指標時，我們會記錄該次故 採用直流偏置，並在最大額定工作溫度條件 •高溫閘極偏置(HTGB):在最大額定溫