第3章正弦波振荡器第3章正弦波振荡器4章节(2498KB).pptVIP

第 3 章　正弦波振荡器 3.4.1　石英谐振器的电特性 3.4.2　晶体振荡电路 3.4　晶体振荡器 1、频稳度 晶体振荡器：超过 10 -5 LC 振荡器：10 -3 ~ 10 -5 　　石英晶体振荡器：采用石英谐振器控制和稳定振荡频率的振荡器,即采用石英晶体作为选频器件，它具有以下的特性：。 2、 Q值 比较大 LC 振荡器：几百 晶体振荡器：几万 ~ 几十万 3.4.1　石英谐振器的电特性 1．石英晶体的性能与等效电路 (1)结构 　　利用石英晶体(Quartz-Crystal)的压电效应制成的一种谐振器件。它的成分是硅石，制造过程如下： 硅石--〉按一定方向切成晶片--〉涂银--〉封装金属板。 (a)　　　　　　　(b)　　　　　　　(c) 图 3-4-1　石英谐振器的内部结构 (2)性能 　　① 晶片有一固有振动频率，与切割方位、形状、大小有关，且十分稳定。 　　将其接到振荡器的闭合环路中，利用其固有频率，能有效地控制和稳定振荡频率。 ② 压电效应：机械与电的相互转换效应。 若对石英片施加外力使之发生机械变形，则两个电极上就会产生符号相反，数值相等的电荷，其值与形变大小成正比。反之，当两个电极上施加电压时，石英片产生机械变形，形变大小与两个电极间的电场强度成正比，通常把这种机电相互转换效应称为压电效应。 正压电效应：外加力，产生电荷现象 逆压电效应：外加电压，产生机械振动现象。 　　③ 振动特性：具有多谐性，除基频(Fundamental Frequency)振动外还有奇次谐波的泛音(Overtones)振动。前者称为基频晶体，后者称为泛音晶体。 　　当外加交变电压与石英晶片的机械振动发生共振时，石英晶片两极上的交变电荷量即通过的交变电流量最大，具有串联谐振特性。 (3)等效电路 C0：静态电容和支架引线分布电容之和； Lq1、Cq1、rq1：晶体基频等效电路； Lq3、Cq3、rq3：晶体三次泛音等效电路 ? ? ? 　　 (Lq 很大、Qq 很大、Cq 很小且数值极其稳定) 　　当外加交变电压与石英晶片的机械振动发生共振时，石英晶片两极上的交变电荷量即通过的交变电流量最大，因而具有串联谐振特性。 图 3-4-3　晶体的阻抗曲线 2．电抗特性 可证：忽略 rq 时，晶体两端呈现纯电抗，其值近似为 图 3-4-3　晶体的阻抗曲线 讨论： 　　① 在 ?s ~ ?p 之间为正值，呈感性；其他频段内为负值，呈容性。 　　② 在 ?s 上 Xcr = 0 ，为串联谐振；在 ?p 上 Xcr ? ?，为并联谐振。 又 应用 则 或 　　因为 C0 Cq，所以 ?p 很靠近 ?s ，例如 5 MHz 的晶振体 fp – fs ? 6.5 kHz 小结： 晶振体两个谐振频率：fs、fp ；且 fs fp ① 工作于 fs ~ fp 之间为高 Q 电感，并联谐振。 ② 工作于 fs 附近为串联谐振，对 fs，相当于短路。 晶振体只能工作于上述两种方式，否则频稳度下降。 3.4.2　晶体振荡电路 一、并联型晶体振荡电路 1．电路[皮尔斯(Pirece)晶体振荡电路] (a)实际电路　　　　　　　　　(b)交流通路 图 3-4-1　皮尔斯振荡电路 克拉泼振荡电路 2．原理 　　由等效电路，它与 Clapp 电路十分相似(Cq 类似于C3 )。 RB1、RB2 和 RE ： 分压偏置电路， LC：高频扼流圈， CB： 旁路电容， CC：耦合电容。 (a)实际电路　　　　　　　　　(b)交流通路 图 3-4-1　皮尔斯振荡电路 3．频率准确度微调 　　实际频率与标称频率往往有偏差，若要求准确度高，必须设频率微调。详见：P.146第二段 4．提高频稳度的措施 图 3-4-6　采用微调电容的晶体振荡电路 (1)恒温槽 　　将晶体或振荡器置于恒温槽内，槽内温度控制在晶体拐点温度(在该温度范围内，晶振温度系数为 0)附近。频稳度可达 10-10 数量级。 (2)变容管的温度补偿电路 ① 电路 　　T1 —— Pirece 晶体振荡电路，详见：P.146第3段 ② 原理 　　温度控制电路中，热敏元件使 Vi 反映了温度的变化，作用到变容二极管，使其电容改变，补偿因温度引起振荡频率的变化。 T↑→ Rt1↓→vCj↑→Cj↓→ fs↑ fs↓ 5．泛音振动 —— 基波和低次泛音的抑制 (1)电路 将 Pirece 电路中 C1 用 LC1 谐振回路取代。 (2)原理 　　假设取五次泛音晶体，标称频率 5 MHz，为了抑制基波和三次泛音的寄生振荡，LC1 应调谐在三次和五次泛音之间，例如 3.5 MHz。 图 3-4-8　 　　在 5 MHz 频率上，LC1 呈容性，满足电容三