毕业设计(论文)-光刻工艺的研究精编.docVIP

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  • 2018-03-29 发布于湖北
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毕业设计(论文)-光刻工艺的研究精编.doc

毕业设计(论文)-光刻工艺的研究精编

毕业设计(论文)报告 题 目 光刻工艺的研究 系 别 尚德光伏学院 专 业 液晶显示技术与应用 班 级 0902 学生姓名 学 号 指导教师 2012年 3 月 光刻工艺的研究 摘要:在平面晶体管和集成电路生产中,要进行多次的光刻,以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。光刻工艺是利用光刻胶的感光性和耐蚀性,在SIO2或金属膜上复印并刻蚀出与掩模版完全对应的几何图形.由于光刻工艺是一种非常精细的表面加工技术,在平面器件和集成电路生产中得到广泛应用.如果把硅片的外延、氧化、扩散和淀积看成是器件结构的纵向控制的话,那么,器件的横向控制就几乎全部有光刻来实现.因此,光刻的精度和质量将直接影响器件的性能指标,同时也是影响器件的成品率和可靠性的重要因素. 目前生产上通常采用的紫外光接触暴光法光刻工艺的一般过程;列出几种常用的光刻腐蚀剂配方;最后对光刻工艺中较常见的质量问题进行分析和讨论. Semiconductor lithography technology Abstract:In the planar transistor and integrated circuit production, to be repea

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