半导体二极管及90.ppt

§2-1 半导体基础知识 （一）半导体 2.1.1 半导体材料 其导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性， 导电能力改变。 （二）杂质半导体 杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。 一 N型半导体： 在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。 所掺入V族元素称为施主 杂质，简称施主 （能供给自由电子）。 右图（2-1） 二 P型半导体： 在本征Si和Ge中掺入微量Ⅲ族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入Ⅲ族元素称为受主杂质，简称受主（能供给自由电子）。下图所示（图2-2） P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。 三 杂质半导体的载流子浓度： 少量掺杂，平衡状态下：ni2 =n0·p0 其中，ni 为本征浓度，n0 为自由电子浓度，p0 为空穴浓度 图2-3 杂质半导体的电荷模型，图中少子未画出来。 温度增加，本征激发加剧， 但本征激发产生的多子远小杂 质电离产生的多子。 ★半导体工作机理：杂质是电特性。 ★Si半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时， Si 半导体比Ge半导体本征激发弱