第一章第一章13章节(1340KB).pptVIP

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1.3 乙类推挽功率放大电路 一、交越失真和偏置电路 1.交越失真(Crossover Distortion) (1)定义  在零偏置条件下,考虑到导通电压的影响,输出电压波形在衔接处出现的失真,称交越失真。 1.3.1 乙类互补推挽功率放大电路 在构成乙类互补推挽功率放大器的电路时,必须考虑电路的偏置、功率管配对和功率管保护等问题。 原因:    由于三极管的导通电压 ,输入电压  在0V附近的瞬时值必须超过   ,才能使管子导通,致使三极管的 均为小于半个周期的正弦波,其合成电流在正负半周不能衔接而造成的失真。 图 1–3–2 图解分析乙类推挽电路时,两管的合成传输特性 因此必须给乙类推挽电路加合适的偏压电路来克服交越失真。 (2) 解决途径 图 1–3–3 加偏置的互补推挽电路及其传输特性 输入端两管适当正偏,使其工作在甲乙类。 由传输特性可见:只要 VBB 取值合适,上下两路传输特性起始段的弯曲部分就可相互补偿,合成传输特性趋近于直线,在输入正弦电压激励下,得到不失真的输出电压。 (3)解决交越失真的常用电路 ① 二极管偏置电路 ② VBE 倍增电路 2.二极管偏置电路   在集成电路中,偏置二极管通常由晶体管取代,如图 1-3-4(b)所示。或者用互补管 T3、T4 取代,如图 1-3-4(c)所示。   图 1-3-4 二极管偏置电路 I 3.VBE 倍增电路 图 1–3–5 VBE 倍增偏置电路   (1)偏置电路   由 T3、R1、R2 组成,且由电流源 IR 激励,为互补功率管 T1、T2 提供偏置电压 VBB。   若通过R1的电流I1远小于T3管的集电极电流IC3,且T1、T2管的基极静态电流可忽略,则IC3 ? IR,根据 VBE3 = VT ln(IC3 / IS) ? VT ln(IR / IS), IR为定值,VBE3也就唯一确定了。而VBE3又是VBB通过R1在R2上的分压值,即: 图 1–3–5 VBE 倍增偏置电路 (2)倍增原理 式中,  VBE3 = VT ln(IE3 / IS) ? VT ln(IR / IS)   上式表明:偏置电路提供的偏置电压 VBB 是 VBE3 的倍增值,且其值受 R1 和 R2 控制,故称为 VBE 倍增电路。   (3)热补偿   T↑ → ICQ ↑ →VBE3?(IS ↑)→VBB ? → ICQ ? 二、单电源供电的互补推挽电路(OTL) 图 1–3–6   1.电路特点   ① 单电源供电   ② 负载串接大容量隔直电容 CL。VCC 与两管串接,若两管特性配对,则 VO = VCC/2,CL 等效为电压等于 VCC/2 的直流电源。 2.工作原理   T1 管的直流供电电压:VCC ? VO = VCC/2, T2 的供电电压:0 ? VO = ? VCC/2。   单电源供电电路等效为 VCC/2 和 ? VCC/2 的双电源供电电路。 三、准互补推挽电路 1.问题的提出 互补要求两功率管特性配对,特别是大功率管,这个要求难实现。   2.解决办法   采用复合管取代互补管,构成准互补推挽电路。T1、T3 为小功率管, T2 、T4为大功率管。 3.电路 图 1–3–7 准互补推挽电路   复合管 T1、T2 等效为 NPN 型管;T3与 T4 等效为 PNP 型管。   其中,T1、T3 之间是互补的,T2、T4 是同型,便于特性配对,故称为准互补推挽电路。 三、准互补推挽电路   为了减小复合管的反向饱和电流,一般都在第二只管子的输入端接几百欧姆的电阻R1,R2。 当两只管子接成复合管时,第一只管子的输出电流必须符合第二只管子所需基极电流流向。 4.注意事项 四、保护电路   1.必要性   实际情况下有可能发生负载短路的,电流迅速增大等异常现象,造成功率管损坏。为了安全起见,应有过流、过压、过热保护。 2.过流保护电路   (1)电路 图 1–3–8 限流保护电路   T1、T2:保护管;R1、R2 :过流取样电阻。 (2)原理 正常时,VR1不足以使 T1 导通,不起保护作用。 异常时,VR1 使 T1导通,分流 i1,限制 T3 管的输出电流,起到了限流保护作用。 T2 对 T4 的保护作用同上。 五、输入激励电路 1.必要性   互补功放, 功率管为射随器,Av 1。若要求输出最大信号功率,则要求激励 级提供振幅接近电源电 压的推动电压(单电源 为 VCC /2 )。 2.电路 图 1–3–9(a) 未加自举电容的电路 (b)输入激励级图解分析  T3:输入激励级,   T

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