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第八章 陶瓷封装 1、陶瓷封装的概述 2、陶瓷封装的工艺 3、其它陶瓷封装材料 1、陶瓷封装的概述 陶瓷在热、电、机械特性等方面很稳定，不仅可以作为封装的封盖，还可以做产品重要的承载基板。 缺点： ①与塑料封装比较，陶瓷封装的工艺温度胶高，成本较高； ②工艺自动化与薄型化封装的能力逊于塑料封装； ③陶瓷材料具有较高的脆性，容易导致应力损害； ④在需要低介电常数与高连线密度的封装中，陶瓷封装必须与薄膜封装竞争。 陶瓷封装如：陶瓷引脚式或无引脚晶粒承载器(CLCC)，针格式封装(PGA)、四边扁平封装(QFP)等，一般工艺是：把芯片粘贴固定在一个已经载有引脚架或厚膜金属导线的陶瓷基板孔洞中，完成芯片与引脚或厚膜金属键合点之间的互连后，把一个陶瓷或金属封盖用焊料密封黏结。 优点：热性质稳定，可靠性好，热传导性能优良，对水分子渗透有良好的阻隔能力，适合高可靠性封装。 以氧化铝为封装基板的陶瓷封装 陶瓷基板的制作：把基板材料混合后球磨，得到基板的浆料，再以刮刀成型技术制成生胚片，经过厚膜金属化、烧结等工艺后制成基板。 陶瓷基板按烧结温度可分高温共烧型与低温共烧型。 浆料 有机材料 无机材料 高分子黏结剂 塑化剂 有剂溶剂 是氧化铝（陶瓷）和玻璃粉末的混合粉末 作用：调整纯氧化铝的热膨胀系数，介电常数等； 2、陶瓷封装的工艺 以氧化铝为基材的陶瓷封装工艺的主要步骤： 生胚片的制作 冲片与导孔成型 厚膜导线成型 叠压 烧结 表面电镀 引脚接合与测试 干式压制成型：成本低，只用于单芯片模块的基板和封盖等简单板材 滚筒压制成型：质地硬，不适叠合多层基板 冲孔即切片。导孔成型的导孔是供垂直方向的导通。 以厚膜网印技术印上布线图和填充导孔。 多层基板需要叠压，单层不需要。 是为把有机成分脱脂烧除，无机材料烧结成致密、坚固的结构。高温烧结：缓慢加热到500～600度除去有机成分，升温到1375～1650度烧结。低温烧结：升温到350度，1h除去有机成分，在升到850度，30min烧结。 制作金属键合点、接合的针脚。先镀镍用于防腐蚀的保护层和针脚焊接，再镀金用于防止镍的氧化和加强焊料的润湿性。 3、其它陶瓷封装材料 因为塑胶封装的冲击，陶瓷封装是用于高可靠度需求的封装主流，开发出新型的陶瓷封装材料：氮化铝、碳化硅、氧化铍、玻璃陶瓷、钻石等。 氮化铝：与氧化铝相比，具有优良的热传导率、较低的介电常数，而且跟硅的热膨胀系数相近等特性。 制备：碳热还原反应、铝直接氮化技术。 ★ 碳热还原反应：把氧化铝和碳置于氮气气氛中，氧化铝 跟碳反应还原的产物被氮化形成氮化铝。 ★ 铝直接氮化技术：把熔融的铝颗粒直接置于氮气气氛中形成氮化铝。 都存在不完全反应的缺点。 涉及的工艺有：热压成型、无压力烧结、金属化(蒸镀或溅射薄膜技术、无电电镀、厚膜金属共烧技术)。