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從磊晶看LED發光效率 郭政達 e-mail: max_kuo@.tw Outline LED照明未來預估與市場規模 高功率磊晶技術發展解析 LED發光效率演進動向 Market Demand Luminaire Efficiency 2006 Luminaire Efficiency 2006 Nichia’s white LED EQE(68%) Luminaire Efficiency Lighting Market Only Performance Summary Application White LED Performance Improvement Optical Efficiency Outline LED照明未來預估與市場規模 高功率磊晶技術發展解析 LED發光效率演進動向 磊晶機台簡介 MOCVD製程上膜形成過程 (i)反應氣體或反應元素因熱裂解由邊界層(boundary layer)向基板表面輸送氣相擴散，入射原子衝撞基板，一部分被反射，其他吸附於基板上。 (ii)基板表面吸附表面擴散，吸附原子於基板表面上擴散，產生原子間之二次衝撞而形成團簇(cluster,原子集合體)，或只在表面上停留某段時間後，再度蒸發解析脫離。 (iii)表面反應，核形成團簇反覆與表面擴散原子衝撞或以單原子再釋出，而當原子數超過某一臨界值後開始成長，與鄰接之團簇聚合而成連續膜，大多為三