QDRSRAM和RLDRAM对比分析-CypressSemiconductor.PDFVIP

QDR SRAM 和和RLDRAM：对比分析：对比分析 和和 ：对比分析：对比分析 By (Anuj Chakrapani, Cypress 存储与成像部应用工程师) 摘要摘要 摘要摘要 当今的高速网络应用需要高带宽和高密度存储器解决方案。例如，标准的网络线路卡需要用于各种操 作的存储器，包括信息包缓冲器、查找表和队列管理等诸多功能。为了确保存储器带宽不会成为应用 吞吐量的瓶颈，选择正确的存储器解决方案是至关重要的。本白皮书将讨论适合于网络应用的存储器 解决方案 —— 具体来说，就是四倍数据速率静态 （ ）和低延迟动态 （ ） RAM QDR SRAM RAM RLDARM —— 并就其最为适合的应用对它们进行了比较。 网络网络SRAM 的发展的发展 网络网络 的发展的发展 标准的同步SRAM （最早的主流同步SRAM ）是高速缓冲存储器应用的理想选择。然而，尽管其应用 十分广泛，但对于规定了一个平衡读/写模式的网络应用而言，它们并不是合适之选。一个其后紧跟着 一个写（WRITE ）操作的读（READ）操作将导致在数据总线上出现争用状态。对于总线争用来说， 唯一的规避措施就是引入“等待”或“无操作”（NOP）周期，以提供总线转向时间。但是，这些“等 待周期”会影响总线的利用率，从而导致带宽利用不足。由于带宽利用率是一项关键因素，所以，这 些同步SRAM 并非此类网络应用的理想选择。 为了解决总线争用问题，人们开发了“无总线延迟”（NoBL）、也称“零总线转向”（ZBT ）型SRAM 。 这些SRAM 在外围电路中包含了数据寄存器，用于实现流水线型的读和写操作，由此消除“等待”周 期并实现峰值总线利用率。然而，随着线路速率达到每秒几十千兆位（Gbps ），与速度、带宽和接口 相关的各种瓶颈问题必须得到解决。许多不仅要求较高的工作速度、而且还需要对存储器进行同时读 写操作的应用已经涌现出来。虽然最初非常适合于网络架构，但是，NoBL SRAM 却无法满足其性能 要求的不断攀升。因此，人们开发出了最新一代的网络存储器 —— QDR/DDR 系列SRAM，旨在满 足如今网络应用的速度、密度和带宽要求。 [+] Feedback[+] Feedback QDR/DDR 系列系列SRAM 系列系列 作为最新一代的同步SRAM，QDR 和QDR-II SRAM 是由QDR 协会（赛普拉斯、Renesas、IDT、 NEC 和Samsung ）的成员公司开发的。该网络SRAM 系列与双倍数据速率（DDR）和DDR-II SRAM 一起提供了面向所有网络系统的完整存储器解决方案。 QDR 和QDR-II SRAM 的速度高达300MHz 以上，密度为9Mb 至72Mb （今后有望扩展至高达288Mb 以上）。QDR 和QDR-II SRAM 具有用于读和写操作的单独端口，因而消除了总线争用。与其他的SRAM 相比，这些端口上的双倍数据速率接口（数据在时钟的上升沿和下降沿均被写入 SRAM 或从 SRAM 读出）基本上使每个引脚的带宽增加了一倍。较之早期的同步SRAM，拥有单独的输入和输出端口并 在这些端口上设置DDR 接口使得总带宽增加了 倍。 DDR 和DDR-II SRAM 与QDR SRAM 隶属于相同的存储器系列。它们与QDR 和QDR-II SRAM 很相似， 主要的差异在于 和 不具备单独的读和写端口。 能够同时执行读和写操作，