高分辨c1s和o1s扫描表明分别存在4个和3个子峰.ppt

6.2.3.2、离子刻蚀速率 当离子束 (如Ar+)轰击样品表面时，将从表面除去一些原子。 离子刻蚀速率依赖于: 所用气体的类型 - 重离子(如Ar+)比轻离子刻蚀更快 离子的能量 - 5 kV 离子(fast)比 1 kV 离子 (slow)刻蚀更快 离子数 (或电流) - 1 mA电流的离子将是0.1 mA电流的离子刻蚀速率的 10x 刻蚀速率也依赖于样品组成，如硅(Si)比钽(Ta)刻蚀更快. 离子刻蚀速率 氩离子刻蚀速率可由文献报道的溅射产额数据近似计算得出。 刻蚀速率　S = (I.Y.M) / (100 r )　[nm/sec] 其中：I = 离子电流密度［μA.mm-2］； Y = 溅射产额； M = 溅射材料的原子质量； r = 基体材料密度 [g.cm-3] 6.2.3.3、深度剖析的影响因素 仪器因素 残余气体吸附 溅射物的再沉淀 离子束中的杂质 不均匀离子束强度 时间相关的离子束强度 样品特性 深度信息 (IMFP) 原始表面粗糙度 晶体结构和缺陷 (Channelling) 合金、化合物、第二相 (择优溅射和诱导粗糙度) 辐射诱导效应 初级离子注入 原子混合 溅射诱导粗糙度 择优溅射与化合物的分解 增强的扩散和偏析 电子诱导脱附 绝缘体荷电 (分析失真；电迁移) 6.2.4、在薄膜材料研究中的应用 如LB膜、光学膜、磁性膜、超导膜、钝化膜、太阳能电池薄膜等表面的化学成分和价态是否如我们所预期的, 层间物质扩散情况，膜的厚度, 是否含有其他杂质，膜的均匀性如何等。 XPS和AES的深度剖析方法在此领域有重要的应用。 ARXPS成功应用于超薄层薄膜研究中。 在半导体微电子技术中的应用 XPS可对半导体材料和工艺过程进行有效的质量控制和分析，注入和扩散分析，因为表面和界面的性质对器件性能有很大影响。 XPS可用于分析研究半导体器件，欧姆接触和肖特基势垒二级管中金属/半导体结的组分、结构和界面化学等，进行质量控制，工艺分析和器件失效分析。 深度剖析实例 深度剖析 一多层半导体材料(Ti,W合金/钛硅化物/硅) 用XPS溅射剖析进行分析。 溅射过程中应用了样品转动技术来优化深度分辨。使用Thermo VG 的高级NLLFS产生剖析图。 【例】XPS depth profile of multilayer Ni/Cr/CrO/Ni/Cr/Si 【例】金属化系统Au/Cr/Si界面反应的研究 在半导体微电子器件中需要有金属引出电极，理想的电极材料为金，但是金与半导体硅之间存在严重的互扩散，为此必须制作有过渡夹层的多层膜材料来实现。如Au/Cr/Si多层膜系统。由于电子器件在使用过程中不可避免地会发热，所以这样制作出的器件必须要经过可靠性老化试验。 建筑玻璃镀层(Coating)的深度剖析 思考题 定量分析结果受哪些因素影响？ 深度剖析的方法和影响因素有哪些？ 深度剖析的方法有哪几种？各有何应用？ 第6章 定量分析和深度剖析 定量分析方法 深度剖析方析 6.1、定量分析方法 在表面分析研究中我们不仅需要定性地确定试样的元素种类及其化学状态，而且希望能测得它们的含量。对谱线强度作出定量解释。 XPS由于其对均相固体材料容易得到极好的定量精确性，常用于获取实验式。 每个特征谱峰中检测到的电子数目直接正比于XPS采样体积中的元素的含量。要得到原子百分量，每个原始XPS信号强度都要除以一个相对灵敏度因子(RSF)，并对检测到的所有元素进行归一化。 XPS定量分析的关键是要把所观测到的信号强度转变成元素的含量，即将谱峰面积转变成相应元素的含量。这里我们定义谱峰下所属面积为谱线强度。 实用XPS定量方法 实用XPS定量方法可以概括为标样法，第一性原理模型和元素灵敏度因子法。 标样法需制备一定数量的标准样品作为参考，且标样的表面结构和组成难于长期稳定和重复使用，故一般实验研究均不采用。 目前XPS定量分析多采用元素灵敏度因子法。该方法利用特定元素谱线强度作参考标准，测得其它元素相对谱线强度，求得各元素的相对含量。 6.1.1、第一性原理模型 First Principle Model 从光电子发射的“三步模型”出发，将所观测到的谱线强度和激发源，待测样品的性质以及谱仪的检测条件等统一起来考虑，形成一定的物理模型。 由于模型涉及较多的因素，目前还缺乏必要精度的实验数据，因此一级原理模型计算还未得到真正应用。 其中: Iij为i元素j峰的面积，K为仪器常数，T(E)为分析器的传输函数，Lij(?)是i元素j轨道的角不对称因子，?ij为表面i元素j轨道的的光电离截面，ni(z)为表面i元素在表面下距离z处的原子浓度，?(E)为光电子的非弹性平均自由程，θ是测量的光电子相对于表面法线的夹角。 6.1.2、