整数量子霍尔效应的问题与解答-苏州大学基础物理学教学网站.PDFVIP

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2018-06-06 发布于天津
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整数量子霍尔效应的问题与解答-苏州大学基础物理学教学网站

物理与工程 Vol.13 No.6 2003 1 整数盘子霍尔效应的问题与解答周蓉娟过祥龙 (苏州大学物理系，江苏苏州 215006) (收稿日期:2003-03-31) 摘要本文的目的是让学生运用学过的大学物理中的量子力学知识来解释整数量子霍尔效应.在探究问题的过程中需要掌握薛定谬方程及其对线性谐振子的解，用对易算符建立相应的本征值，熟悉周期性边界条件，以及用哈密顿量中的磁场的矢势来描述磁场与电子的相互作用. 关键词整数量子霍尔效应;分数量子霍尔效应;霍尔电阻;二维电子系统;朗道态的简并 THEQUESTIONSANDTHEANSWERSOFTHE INTEGERQUANTUM HALLEFFECT ZhouRongjuan GuoXianglong (DepartmentofPhysics,SuzhouUniversity,Suzhou,Jiangsu 215006) Abstract Inthispaper,weapplyundergraduatequantummechanicstoexplainthe integerquantumHallEffect.ThesolutionsrequiresfamiliaritywiththeSchr6dinger equationanditssolutionforaone-dimensionalharmonicoscillator,withtheuseof operatorcommutatorstoestablishsimultaneouseigenvalues,withperiodicboundary conditions,andwiththeuseofthemagneticvectorpotentialinaHamiltonianto describethein teraction ofelectronswithamagneticfield. KeyWords theintegerquantum Halleffect;thefractionquantumHalleffect;the Hallresistance;2Delectronsystem;degeneracyofLandaustates 在物理课程中如何引人一些物理前沿的正负号及其密度.1980年由冯 ·克利青(L. 知识是一个必须解决的课题.本文的目的是 V.Klitzing)，多达尔 (Dorda)和派派尔让学生运用学过的大学物理中的量子力学知 (Pepper)在低温和强磁场条件下发现的量子识来解释量子霍尔效应. 霍尔效应表明:量子霍尔电阻RH仅与基本常数有关，在二维电子系统中的霍尔电阻R, 1 ，子粗尔效应有一系列的平台.如图1所示，RH可以准确地表示为 1.1 整数f子祖尔效应 RH=h/je，二(25812.81/j)O (1) 霍尔电阻曾用来检验半导体中载流子的上式中h是普朗克常数，。是电子的基本电万方数据物理与工程 Vol.13 No.6 2003