采用ccd器件的半导体材料应力测试仪的研制-光学精密工程.pdf

　　　　　 第 5 卷　第 4 期 光学　精密工程 . 5, . 4 V o l N o 1997 年 8 月 O P T IC S AN D PR EC IS ION EN G IN EER IN G A u gu st, 1997 采用CCD 器件的半导体材料 应力测试仪的研制 周　端　　杨银堂 (西安电子科技大学微电子所, 西安 7 1007 1) 　　摘要　研究和实现了采用面阵CCD 器件的半导体材料应力测试仪。介绍了测量 原理, 设计完成了相应的光学测量系统、硬件控制系统和控制测量所需的软件。最后介 绍了对硅上 、 膜应力实际测量的结果。 SiO Si N 2 3 4 关键词: 面阵CCD ; 应力测量; 薄膜; 微型计算机 1　引　　言 　　在集成电路的制造过程中, 需要在半导体衬底芯片上淀积各种材料的薄膜, 如 SiO 2 膜、 Si3N 4 膜等。由于薄膜的衬底材料之间特性的差别和器件制造工艺过程的影响, 在器件材料中 产生应力。应力的作用会使半导体芯片发生形变, 可能造成芯片中互连线的断裂, 参数的漂移 等问题, 引起可靠性下降。随半导体集成度的提高, 器件芯片尺寸的缩小, 材料应力对器件的影 响越来越大。近几年来, 应力的作用已成为国际上器件可靠性物理研究的重要领域和常规半导 体工艺监控的一种方法。本文介绍的是基于基片弯曲法的薄膜应力测试仪, 采用面阵CCD 作 为检测手段, 从而提高了测量精度。该仪器的研制为解决半导体器件制造过程中的工程实际问 题提供了一个有力的分析测试手段。 2　测量原理 　　测量装置如图 1 所示。由激光源、棱镜、样品台、面阵CCD 组成的光学测量系统和一个可 移劝的样品台构成。样品台的温度可以控制。以便测量应力随温度的变化情况。测量时, 被测 样品置于一个可以移动的样品台上, 由激光源发出的光束受到样品表面的反射, 经过一段光程 收稿 日期: 1997 年 3 月 27 日 120 光学　精密工程 5 卷 L 后, 在面阵CCD 的一定位置产 生一个光点。当样品台由步进电 机带动沿X 方向移动一段距离 x 时, 由于样品的弯曲, 使激光 由基片反射到棱镜斜面的光点位 置发生变化, 从而使CCD 面阵上 的光点位置移动 d 。 基片弯曲的曲率半径为 S R = ( 1) F ig. 1　Con cep tu a l d iagram o f cu rvatu re m o thod 其中S 为弧长增量, 为对应的弧切线倾角增量。由于样品的曲率半径R 远大于样品尺寸, 所以样品移动距离 x 可以看作弧长的增量, 即S = x 。当光线垂直入射于样品表面时, 可 以得到测试装置的简化光路图, 如图2 所示。其中 = = = = 1 2 3 4 2 ∠A CB = 2