第五章-双极晶体管的开关特性.ppt

本章内容 双极型晶体管的开关作用 双极型晶体管的开关过程和开关时间 开关管正向压降和饱和压降 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 延迟过程就是基极注入电流IBl向发射结势垒电容和集电绪势垒电容充电，并在基区建立起某一稳定的电荷积累的过程。 Qestion：如何减小延迟时间？ 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 双极型晶体管的开关特性 提高开关速度的措施？ 提示: 晶体管内部考虑; 晶体管外部考虑. 双极型晶体管的开关特性 5.3 开关管正向压降和饱和压降 5.3.1 正向压降 5.3.2 饱和压降 双极型晶体管的开关特性 半导体器件物理 南京邮电大学电子科学与工程学院 双极型晶体管的开关特性 半导体器件物理 南京邮电大学电子科学与工程学院 双极型晶体管的开关特性 * 第五章 双极型晶体管的开关特性 半导体器件物理 Physics of Semiconductor Devices 2007,3,30 在数字电路中晶体管的主要作用是当作开关。可以利用小的基极电流在极短时间内改变集电极电流由关(off)的状态成为开(on)的状态(反之亦然)。关是高电压低电流的状态，开是低电压高电流的状态。 图(a)是一个基本的开关电路，其中射基电压瞬间由负值变为正值。图(b)是晶体管的输出电流，起初因为射基结与集基结都是反向偏压，集电极电流非常低，但射基电压由负变正后，集电极电流沿着负载线，经过放大区最后到达高电流状态的饱和区，此时射基结与集基结都变为正向偏压。因此晶体管在关的状态下，亦即工作于截止模式时，发射极与集电极间不导通；而在开的状态下，亦即工作在饱和模式时，发射极与集电极间导通。因此晶体管可近似于一理想的开关。 双极型晶体管的开关特性 5.1 晶体管的开关作用 静态特性; 动态特性 5.1.1 晶体管开关作用的定性分析 饱和态; 截止态 5.1.2 截止区和饱和区的电荷分布 5.1.2.1 截止区 晶体管处于截止区(关态)时的主要特点是发射结处于反向偏置(或零偏压)、集电结处于反向偏置。这时，由于没有基极注入电流，在集电结和发射结分别流过反向电流。应注意，这时发射极电流和集电极电流的方向是相反的。 由于基极电流很小，因此，一般用输出特性曲线中IB=0的这条线作为放大区和截止区的分界线。在I B≤0时，晶体管处于截止状态。 曲线A和B分别表示发射结为零偏和反偏时的电子浓度分布。 A B n B 0 截止情况基区少子分布 5.1.2.2 饱和区和超量存储电荷 集电结各种偏置情况下少子分布示意图 (a)集电结反偏；(b)集电结零偏；(c)集电结正偏。 通常把集电结偏压Vc=0的情况称为临界饱和，这时开始进入饱和区。也就是说，以Vc=0的临界饱和线作为饱和区与放大区的分界线，Vc0时，晶体管就进入饱和状态。 由于临界饱和后，集电极电流不再增加，所以基区内少子(电子)的密度梯度也不能再增大。于是，基区内存储的电荷就按临界饱和时的分布平行上涨。后面将看到，超量存储电荷的多少对开关时间影响很大。 为使晶体管能达到足够的饱和深度而又不致于开关时间过长，一般选取过驱动因子S=4比较适宜。 5.2 晶体管的开关过程和开关时间 5.2.1 几个开关时间的定义 5.2.2 电荷控制理论 开关过程中的实际输入和输出波形 (a) 输入脉冲 (b) 基极电流 (c) 集电极电流IC波形 (d) 确定开关时间标准的IC波形 5.2.3 延迟过程和延迟时间 晶体管由关态向开态转化时，输出端并不能立即对输入端的正脉冲作出响应，即输出端不会马上有集电极电流，而是有一个延迟过程。 延迟过程所对应 的时间称为延迟时间。 5.2.4 上升过程与上升时间 上升过程就是基区电荷积累由对应的IC=0.1ICS达到IC=0.9ICS的过程。 Qestion：如何减小上升时间？ 5.2.5 电荷储存效应与储存时间 超量存储电荷的形成和消失过程 饱和态时的载流子流动示意图 I B 此时集电区和基区中超量存储电荷消失，晶体管又达到临界饱和态。随着基区少子的进一步抽取，集电结空间电荷区进一步变大，集电结偏压由零偏变为负偏，基区靠集电结边界处少子浓度低于平衡值以致趋于零，晶体管离开饱和区而进人放大区。此后进一步抽取基区少子将引起其浓度梯度的降低，导致IC下降。 随着超量存储电荷的减少，