第五讲_ROM及与CPU的连接.ppt

* * 四、只读存储器（ROM） 1. 掩模 ROM ( MROM ) 行列选择线交叉处有 MOS 管为“1” 行列选择线交叉处无 MOS 管为“0” 2. PROM (一次性编程) VCC 行线 列线 熔丝 熔丝断 为 “0” 为 “1” 熔丝未断 4.2 3. EPROM (多次性编程 ) (1) N型沟道浮动栅 MOS 电路 G 栅极 S 源 D 漏 紫外线全部擦洗 D 端加正电压 形成浮动栅 S 与 D 不导通为 “0” D 端不加正电压 不形成浮动栅 S 与 D 导通为 “1” S G D N + N + P 基片 G D S 浮动栅 　 SiO 2 + + + + + _ _ _ 4.2 … 控制逻辑 Y 译码 X 译 码 数据缓冲区 Y 控制 128 × 128 存储矩阵 … … PD/Progr CS A10 A7 … A6 A0 … … DO0 … DO7 1 12 … A7 A1 A0 VSS DO2 DO0 DO1 … 2716 24 13 … VCC A8 A9 VPP CS A10 PD/Progr DO3 DO7 … (2) 2716 EPROM 的逻辑图和引脚 4.2 PD/Progr PD/Progr 功率下降 / 编程输入端 读出时 为 低电平 4. EEPROM (多次性编程 ) 电可擦写 局部擦写 全部擦写 5. Flash Memory (闪速型存储器) 比 EEPROM快 4.2 EPROM 价格便宜 集成度高 EEPROM 电可擦洗重写 具备 RAM 功能 用 1K × 4位 存储芯片组成 1K × 8位 的存储器 ？片 五、存储器与 CPU 的连接 1. 存储器容量的扩展 (1) 位扩展 （增加存储字长） 10根地址线 8根数据线 D D … … D 0 4 7 9 A A 0 ??? 2114 2114 CS WE 4.2 2片 (2) 字扩展（增加存储字的数量） 用 1K × 8位 存储芯片组成 2K × 8位 的存储器 11根地址线 8根数据线 4.2 ？片 2片 1K× 8位 1K× 8位 D7 D0 ??? ??? ??? ??? ??? WE A1 A0 ??? A9 CS0 A10 1 CS1 (3) 字、位扩展 用 1K × 4位 存储芯片组成 4K × 8位 的存储器 8根数据线 12根地址线 WE A8 A9 A0 ... D7 D0 … A11 A10 CS0 CS1 CS2 CS3 片选 译码 … … … … … … … … 4.2 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 ？片 8片 2. 存储器与 CPU 的连接 (1) 地址线的连接 (2) 数据线的连接 (3) 读/写命令线的连接 (4) 片选线的连接 (5) 合理选择存储芯片 (6) 其他 时序、负载 4.2 例4.1 解: (1) 写出对应的二进制地址码 (2) 确定芯片的数量及类型 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 A15A14A13 A11 A10 … A7 … A4 A3 … A0 … 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 … 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2K×8位 1K×8位 RAM 2片1K×4位 ROM 1片 2K×8位 4.2 (3) 分配地址线 A10~ A0 接 2K × 8位 ROM 的地址线 A9 ~ A0 接 1K × 4位 RAM 的地址线 (4) 确定片选信号 C B A 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 A15 A13 A11 A10 … A7 … A4 A3 … A0 … 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 … 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2K × 8位 1片 ROM 1K × 4位 2片RAM 4.2 2K ×8位