半导体器件物理 教案 课件 ppt.ppt

? 半导体材料的晶格结构 ? 电子和空穴的概念 ? 半导体的电性能和导电机理 ? 载流子的漂移运动和扩散运动 ? 非平衡载流子的产生和复合 练习 试计算常温下锗的数密度。 练习 试求ADD’A’的密勒指数。 练习 P30 1.3，1.4 练习 试画出硅、锗和砷化镓在常温下的能带图。 思考 既然半导体电子和空穴都能导电，而导体只有电子导电，为什么半导体的导电能力比导体差？ 注意三个“准” 准连续 准粒子 准自由 练习 整理空带、满带、半满带、价带、导带、禁带、导带底、价带顶、禁带宽度的概念。 简述空穴的概念。 练习 P30 6、7 半导体中的缺陷和缺陷能级 当半导体中的某些区域，晶格中的原子周期性排列被破坏时就形成了各种缺陷。 缺陷分为三类： ①点缺陷：如空位，间隙原子，替位原子； ②线缺陷：如位错； ③面缺陷：如层错等。 练习 写出常见缺陷的种类并举例。 试述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系。 位错对半导体材料和器件有什么影响？ 练习 P30 9 写出欧姆定律的一般形式和微分形式。 电子和空穴的漂移方向如何判断？扩散运动又如何？ 为什么说平衡态下电场的方向必须是反抗扩散电流？ 影响非平衡载流子寿命的因素 材料的种类 杂质的含量（特别是深能级杂质） 表面状态 缺陷的密度 外部条件（外界气氛） 练习 P30 10，11 练习 简单描述P-N结制作方法和杂质分布之间的关系。 什么是空间电荷区？ 什么是势垒区？ 什么是耗尽层？ 内建电场是如何形成的，方向如何？ 试写出突变结和线性缓变结杂质分布的表达式。 试概括平衡时的P-N结有哪些特点。 练习 4-1. 当P-N结外加正向偏置电压时，外加电压形成的电场方向与内建电场______（相反/一致），导致势垒区总的电场强度______（增强/减弱），这说明空间电荷数量______（增多/减少），也就意味着势垒区宽度______（增大/减小），势垒高度______（增大/减小）。此时，电场强度的变化导致载流子的漂移运动______（大于/小于）扩散运动，形成______（净扩散/净漂移），以致势垒区边界载流子浓度______（大于/小于）该区内部，从而在Ｎ区形成______（从Ｎ区势垒边界向Ｎ区内部／从Ｎ区内部向Ｎ区势垒边界）的______（电子／空穴）的______（扩散／漂移），在Ｐ区形成______（从Ｐ区势垒边界向Ｐ区内部／从Ｐ区内部向Ｐ区势垒边界）的______（电子／空穴）的______（扩散／漂移）。 作业 P55 2（补充订正）、3、5 表面对反向漏电流的影响 主要表现在以下三个方面 表面漏电流。 P-N结沟道漏电流。 表面复合电流。 引起上述差别的主要原因有： （1）表面效应；（已介绍） （2）势垒区中的产生和复合； （P46 自学） （其中产生已介绍） （3）大注入条件；（c段） （P47 自学） （4）串联电阻效应。（d 段） 练习 反向偏压下，硅P-N结电流偏离理想方程的原因是什么？ 为什么锗P-N结在反偏情况下，伏安特性与理想方程符合比较好？ 正偏P-N结实际伏安特性和理想情况的偏差表现在哪些方面？ P55 6 反向偏压的绝对值增大，载流子存入势垒区还是从势垒区取出？ 反向偏压的绝对值减小，载流子存入势垒区还是从势垒区取出？ 正向偏压增大，载流子存入扩散区还是从扩散区取出？ 正向偏压减小，载流子存入扩散区还是从扩散区取出？ 发生P-N结击穿的机理主要有以下几种 雪崩击穿 隧道击穿 热电击穿(热击穿) 自学 P52 2.5.4 雪崩击穿电压VB的计算 P53 2.5.5 影响雪崩击穿电压的因素 练习 试分析雪崩击穿和隧道击穿的区别。 P55 7 可用哪些方法来提高雪崩击穿电压？ 雪崩击穿和隧道击穿的主要区别 隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场；雪崩击穿除了与电场有关外,还与空间电荷区宽度有关。 雪崩击穿是碰撞电离的结果，如果用光照等其他办法，同样会有倍增效应；而上述外界作用对隧道击穿则不会有明显的影响。 隧道击穿电压随着温度的增加而降低，温度系数为负数；而雪崩击穿电压随着温度的增加而增加，温度系数为正数 。 练习 简述晶体管的结构、基本形式和基区杂质分布的形式。 提高发射效率和基区输运系数的方法是什么？ 练习 P73 2，3 3.3 晶体管的反向电流 晶体管的反向电流是晶体管的重要参数之一，它包括ICB0，IEB0和ICE0 。 反向电流过大的危害： 　　　降低成品率 （反向电流不受输入电流控