PIC16F877 EEPROM读写实验.docVIP

PIC16F877 EEPROM每一个单元的读/写所用时间典型值为：4ms，最大值为8ms。在烧写每个EEPROM单元过程中，需要CPU插入等待时间，既可利用中断功能，也可利用软件查询方式来解决。在此我们利用了软件查询方式，循环检测WR烧写控制位兼烧写完成标志位。 程序如下： ;16F877内部EEPROM读/写实验》 ;本实战的目的是让大家熟悉PIC16F87X内部EEPROM的读/写方法 ;项目实现的功能：对于地址为00H-3FH的64个EEPROM数据存储单元，分 ;别将数据0-63依次烧写进去，然后再循环读出，显示在LED数码管上 ;程序清单如下: ;************************************ INCLUDEP16F877.INC STATUS EQU 3H ;定义状态寄存器地址 RP0 EQU 5H ;定义页选位RP0的位地址 RP1 EQU 6H ;定义页选位RP1的位地址 Z EQU 2H ;定义0状态位的位地址 PORTC EQU 7H ;定义RC口数据寄存器地址 PORTD EQU 8H TRISC EQU 87H ;定义RC口方向控制寄存器地址 TRISD EQU 88H EECON1 EQU 18CH ;定义写控制寄存器1的地址 EECON2 EQU 18DH ;定义写控制寄存器2的地址 EEDATA EQU 10CH ;定义读/写数据寄存器地址 EEADR EQU 10DH ;定义读/写地址寄存器地址 RD EQU 0 ;定义读启动控制位位地址 WR EQU 1 ;定义写启动控制位位地址 WREN EQU 2 ;定义写使能控制位位地址 EEPGD EQU 7 ;定义访问目标选择控制位位址 F EQU 1 ;定义目标寄存器为RAM的指示符 W EQU 0 ;定义目标寄存器为W的指示符 ADDR EQU 70H ;定义地址变量 DATA1 EQU 71H ;定义数据变量 ;************************************* ORG 0000H ; NOP ;放置一条ICD必须的空操作指令 GOTO MAIN ; ORG 0008H ; MAIN BCF STATUS,RP1 ;选体1为当前体 BSF STATUS,RP0 ; MOVLW 00H ;设定RC全部为输出 MOVWF TRISC ; BSF STATUS,RP1 ;体3为当前体 CLRF ADDR ;地址变量清0 CLRF DATA1 ;数据变量清0 WRITE BSF STATUS,RP1 ;选定体3 BTFSC EECON1,WR ;上一次写操作是否完成 GOTO $-1 ;否！返回继续检测 BCF STATUS,RP0 ;选定体2 MOVF ADDR,W ;取地址 MOVWF EEADR ;送地址寄存器 MOVF DATA1,W ;取数据 MOVWF EEDATA ;送数据寄存器 BSF STATUS,RP0 ;选定体3 BCF EECON1,EEPGD ;选定EEPROM为访问对向 BSF EECON1,WREN ;开放写操作使能控制 MOVLW 55H ; MOVWF EECON2 ;送55H到寄存器EECON2（读写内部EEPROM，这句是固定的） MOVLW 0AAH ; MOVWF EECON2 ;送AAH到寄存器EECON2（读写内部EEPROM，这句是固定的） BSF EECON1,WR ;启动写操作 BCF EECON1,WREN ;禁