改变覆盖层参数对微波介质谐振器谐振特性的影响.doc

改变覆盖层参数对微波介质谐振器谐振特性的影响 第l7卷第1期 2000年2月 新疆大学(自然科学版) JournalofXini~angUniversity Vol_l7N0.1 Feb2000 改变覆盖层参数对微波介质谐振器 ;1谐振特性的影响 张进袁南辉 (广东民族学院电子系,广州510633) 柳平张敬文许植 (新疆大学电子信息科学系,乌鲁木齐830046) 弋._} 摘要讨论了一种调节微波介质谐振器谐振频率的新方法.通过改变该结构中介质谐振器顶端 介质覆盖层的厚度,或者置换具有不同介电常数的介质覆盖层,均可实现谐振频率的微 调,本文应用开波导法分析和计算了介质覆盖层参数的改变对微波介质谐振器谐振特性 的影响,并将计算结果与实验数据进行比较,两者吻合良好. 关键词墨苎要塑墨曼-开波导法墨兰频率温度稳定度掳器. i引言巾.罕1揿JUl, 微波介质谐振器是由低损耗,高介电常数,相对温度变化稳定,几何形状规则的陶瓷材 料制成.其介电常数可达30～9O,在微波波段,它的元载品质因素可达10000以上.由于 微波介质谐振器体积小,重量轻,可以在较宽的微波波段与微波集成电路相结合,并构成多 种结构紧凑,性能优良的振荡器,滤波器,双工器,鉴频器,倍频器等元源与有源微波器件,其 中微波介质谐振器振荡器是一种应用广泛并综合了多种电路技术的微波固态器件.]. 在实际的微波介质谐振器振荡器电路中.微波介质谐振器一般放置在相对介电常数比 较低的微波固态集成电路村底上,通常其lt;10,介质谐振器附近有微带线,整个振荡电路 被封装在金属屏蔽盒内以避免辐射,如图l所示,与孤立的微波介质谐振器相比,屏蔽盒中微 波介质谐振器的Em谐振模的电,磁场分布 都将发生畸变,从而导致计算分析变得非常复 杂.许多文献对屏蔽盒中的微波介质谐振器的 电磁场分布进行了详细的分析.对振荡电路的 谐振频率做了大量的计算_31._!j].从计算精度上 可以将这些计算方法分为三类:(1)粗略模型 估算法;(2)较精确模型计算法;(3)严格求解 法.这三类方法的主要差别表现在给定的数学 模型上,即表现为如何描述微波介质谐振器内, 外的电磁场分布上,这些文献所分析,计算的结 构如图2(a),(b)所示.其中图2(b)是在微波 介质谐振器与村底基片之问加了一个低介电常 }收穑日期;1998—1o-15 图l实搿振荡电路中微波介质谐振器的具体位置 新疆大学(自然科学版) 图2(a)简单型介质谐振器设置图2(b)介质谐振器加垫片设置 图2(c)介质谐振器加覆盖设置图2(d)(c)图结构中十个区域分与划分 匐2介质谐振器在不同结构中的设置 数的介质支撑片,这样有利于将电磁场的能量更好地集中在微波介质谐振器中,从而提高整个 振荡器的Q值和频率温度稳定性,同时降低振荡器的FM噪声. 2微波介质谐振器谐振特性分析 在用微波介质谐振器组成的振荡电路中,常用的谐振频率调谐机构有两种:一种是通过改 变金属盒上盖板与微波介质谐振器顶面的间距来实现{另一种则是通过电调手段来实现然 而在实际工作中,有时会受某些因素的限制而不能改变上盖板与微波介质谐振器顶端的间距 或未能加上电调电路,譬如:金属屏蔽盒尺寸的限制,衬底基片尺寸的限制等等,此时再欲进行 谐振频率的调谐就极为不便,但如果在图2(b)中的微波介质谐振器顶端再覆盖一层低介电常 数的介质片,如图2(c)所示,就可以通过改变该介质覆盖层的参数,如介电常数,厚度等,实现 微波介质谐振器振荡电路谐振频率的微调. 本文采用开渡导法计算了如图2(c)所示结构的谐振频率,在厚度为t的衬底基片上,加 一 低介电常数的介质垫片,其厚度为在垫片上放置高度为H,半径为R的介质谐振器,再在 它的上面覆盖一层厚度为^的低介电常数介质片,该介质覆盖顶部与金属盒顶之间的距离为 h:.将图2(c)中的谐振器结构划分为如图2(d)所示的十个区域.其中,假设绝大部分电磁场 能量集中在2区域,剩余的能量则主要集中在1,3,4,5,9区域.考虑到6,7,8,10区域的场能 极少,为了计算方便将其忽略.另外,还假设金属壁为完美导体,结构中的各种介质材料均为 无耗和各向同性. 考虑到在:一一(f+f.)处和=H+h+h处的电壁边界条件,满足Helmholtz方程 的各区域标量位函数可以写成如下形式: 】=.,.(,r){A】ch—f一)]一日1sh(一)]1 2一.,.(量,r){A2c0s(量)+B2sin(量:)) 第l期张进等:改变覆盖层参数对微波介质谐振器谐振特性的影响3j 妒3一.,0(r){A3ch(7)一B3sh(rz)} 妒.一且.,.(r)sh{一(fL+f2)]} 妒5一A5Ko(声r){ACOS()+Bzsin(k)门 妒9一A9.,0(r)sh{一一(+hl+^2)])