晶体管原理与设计（微电子器件）第2-1章.pptVIP

PN 结是构成各种半导体器件的基本单元。 第 2 章 PN 结 分析方法：将 PN 结分为三个区，在每个区中分别对半导体器件基本方程进行简化和求解。 P 区 NA N 区 ND 突变结：P 区与 N 区的杂质浓度都是均匀的 ，杂质浓度在冶金结面（x = 0）处发生突变。当一侧的浓度远大于另一侧时 ，称为 单边突变结 ，分别记为 PN+ 单边突变结和 P+N 单边突变结。 　　线性缓变结：冶金结面两侧的杂质浓度随距离作线性变化，杂质浓度梯度 a 为常数。 * 平衡状态：PN 结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、光照、磁场、辐射等外作用。 2.1 PN 结的平衡状态 本节将介绍 PN 结 空间电荷区的形成，PN 结的 内建电场、内建电势，及平衡时的 PN 结 空间电荷区宽度。 * 2.1.1 空间电荷区的形成 平衡少子 P 区： N 区： 利用 n0 p0 = ni2 的关系，可得 平衡多子 P 区： N 区： 可见， 空穴扩散：P 区 N 区 电子扩散：P 区 N 区 扩散电流方向为，P 区 N 区 P 区 N 区 NA- ND+ pp0, np0 nn0, pn0 * 扩散电流： P 区 N 区 漂移电流： P 区 N 区 P 区留下 NA- ，N 区留下 ND+ ，形成 空间电荷区。空间电荷区产生的电场称为 内建电场，方向为由 N 区指向 P 区。电场的存在会引起漂移电流，方向为由 N 区指向 P 区。 达到平衡时，净电流 = 0 。于是就形成一个稳定的有一定宽度的空间电荷区。 内建电场 空间电荷区 P 区 N 区 NA- ND+ NA- pp0 ND+ nn0 * 耗尽近似：假设空间电荷区内的载流子完全扩散掉，即完全耗尽，空间电荷完全由电离杂质提供。这时空间电荷区又可称为“耗尽区”。 中性近似：假设耗尽区以外多子浓度等于电离杂质浓度 ，因而保持电中性。这时这部分区域又可称为“中性区”。 2.1.2 内建电场、内建电势与耗尽区宽度 1、耗尽近似与中性近似 P 区 N 区 NA- ND+ NA- pp0 ND+ nn0 * 对于 突变结，由第一章例 1.1 的式（1-14a），当采用耗尽近似后，在 N 区的耗尽区中，泊松方程为 积分一次，得 由边界条件： 可求得常数 C 为 2、内建电场 于是可得 （2-5a） * P N 同理，在 P 区耗尽区中求解泊松方程，得 以上求得的 E(x) 就是 PN 结的 内建电场。 （2-5b） * 在 x = 0 处，内建电场达到最大值， 由上式可求出 N 区与 P 区的耗尽区宽度 及 总的耗尽区宽度， 式中， 称为 约化浓度 。 3、耗尽区宽度 （2-6） （2-8） （2-7） * 对内建电场作积分可得 内建电势（也称为 扩散电势）Vbi 或 4、内建电势 （2-10） * 但是有 4 个未知数，即 、 、 和 。下面用另一种方法来求 。 以上建立了 3 个方程，即( 2-6 ) 、( 2-7 ) 和 ( 2-10 ) ， （2-6） （2-7） （2-10） * 并可进一步求出内建电势为 从上式可解出内建电场， 已知在平衡状态下，净的空穴电流密度为零，故由空穴的电流密度方程可得 * 由于 ， ，故得 Vbi 与掺杂浓度、温度及半导体的种类有关。在通常的掺杂范围和室温下，硅的 Vbi 约为 0.75V，锗的 Vbi 约为 0.35V。 （2-13） * 最后可得 * 对于 P+N 单边突变结， 则以上各式可简化为 5、单边突变结的情形 * 对于 PN+ 单边突变结， 以上各式又可简化为 可见，耗尽区主要分布在低掺杂的一侧， 与 也主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 * 在平衡状态下， PN 结能带图中的费米能级 EF 是水平的 ，而导带底