1-半导体物理基础概述.pptVIP

半导体的平衡态并不是总能成立的，如果某些外界因素，如光照等，作用于平衡半导体上，此时，平衡态条件就被破坏，样品处于偏离平衡态的状态，称为非平衡态。 三、非平衡载流子 1. 基本概念 （1）光照后半导体载流子的就不再是n0 和p0，而是分别多了Δn和Δp，并且Δn=Δp。多出的这部分载流子就称为非平衡载流子。光照后的非平衡半导体中电子的浓度是：n= n0+Δn，p= p0+Δp。如果Δn n0 ,Δp n0满足这样的注入条件称为小注入。 光照产生非平衡载流子的方式称做非平衡载流子的光注入，此外还有电注入等形式。 !Δp (如果注入为1010） （2）在N型半导体中，虽然Δnn0 (1015)，但有Δpp0 (105) ，因而相对来说非平衡多子的影响较弱，而非平衡少子的影响起主要作用。通常说的非平衡载流子都是指非平衡少子。 （4）当产生非平衡载流子的外部作用撤除后，非平衡载流子也就逐渐消失，半导体最终恢复到平衡态，这个过程也就是非平衡载流子逐步消失的过程，称为非平衡载流子的复合。 （3）非平衡载流子的存在会使得半导体的载流子数量发生变化，会引起附加电导率： 外部作用撤除后，非平衡载流子生存一定时间后会消失，这个平均生存时间称为非平衡载流子的寿命τ 。主要考虑少子寿命。其倒数就表示单位时间内非平衡载流子的复合几率。复合率：为描述非平衡载流子的复合速度，定义单位时间、单位体积内净复合消失的电子-空穴对为非平衡载流子的复合率。 2. 非平衡载流子的寿命 对于N型半导体，非平衡少子浓度Δp(t) 因为复合，随时间变化，就是说非平衡载流子浓度随时间的变化率（减少是因为复合引起的）等于非平衡载流子的复合率，即： t = 0 时刻的非平衡载流子浓度 复合率 单位时间浓度的减少： 非平衡载流子的平均生存时间是： 非平衡载流子的寿命就是其平均生存时间，特例： 3. 准费米能级 由于存在外界因素作用，非平衡态半导体不存在统一的费米能级。但分别就导带和价带的同一能带范围而言，各自的载流子带内热跃迁仍然十分踊跃，在极短时间内就可以达到各自的带内平衡而处于局部的平衡态。因此，统计分布函数对导带和价带分别适用。为此引入导带电子准费米能EFn 和价带空穴的准费米能级EFp。类似平衡态分析方法： 只要非简并条件成立，该式就成立 E-EFkT 分别是相应的准费米势 (2-1) (2-2) 1、无论电子或空穴，非平衡载流子越多，准费米能级偏离平衡态Ei的程度就越大，EFn更靠近导带底EC，EFp更靠近价带顶EV ，两种准费米能级偏离平衡态的程度不同。 2、小注入时，多子费米能级和Ei偏离不多，而少子费米能级和EF偏离较大。这是因为： 上式表明： 两式相乘得： 在热平衡条件下有： 表明：两个准费米能级之差反映了非平衡态载流子浓度与平衡态载流子浓度相差的程度，准费米能级相差越小，就越接近平衡态，相反就越偏离平衡态。非平衡态载流子是半导体器件工作的基础 四、非均匀半导体中的自建电场 （1）半导体中的静电场和电势 电场强度定义为电势的负梯度： 电势与电子势能的关系为： 在半导体中，导带电子的最低能量是EC。若电子处于EC以上的能量，其多余的能量以动能的形式表现。同理，能量EV是空穴的最低能量，处于EV以下的空穴具有一定能量。 有外加电场时，能带图就会倾斜，给电子和空穴以动能。由于EC和EV始终与Ei平行。所以在一维情况下，电场可以表示为： 定义： 为费米势 则电子、空穴的浓度可以改写为： 在热平衡情况下，费米势为常数，可以把它取为零基准，则上式可简化为： （2）爱因斯坦关系式 引起载流子漂移运动和扩散原因不同，但这两种运动的过程都要遭到散射的作用，迁移率和扩散系数之间存在内在的联系。 爱因斯坦关系 热平衡时半导体中的电子电流、空穴电流必须为零，即： 微分： (2-1) (2-3) 修正欧姆定律 修正欧姆定律： 费米能级恒定，是电流为零的条件。处于热平衡的半导体，费米能级恒定，或者说，热平衡系统具有统一的费米能级。 包括了漂移和扩散的综合效应 （3）非均匀半导体和自建电场 由于非均匀杂质分布的存在，会在半导体中形成电场，称为自建电场。在N型半导体中，如果杂质全部电离则有： 在热平衡时，取EF为常数，可以取其为零点，则静电势改写为： 同理，在P型半导体中有： 说明：由于非均匀杂质分布的存在，会在半导体中形成自建电场。 在一维情况下，描述半导体载流子输运规律的方程式为： （1）连续性方程 载流子浓度剃度 不均匀引起的载 流子积累扩散项 产生项 复合项 漂移过程中由于 载流子不均匀引 起的载流子积累 在不均匀电场中 因漂移速度随位 置的变化引