新机能绍介试验モードと试料故障.PDFVIP

エスペック技術情報 Test Navi Report　No. 26　(通巻83号) Page 1/5 新機能紹介 パワーサイクル試験装置に構造関数を使った熱解析機能を搭載しました① 試験モードと試料故障 パワーサイクル試験には、パワー半導体デバイス試料（以下：試料）内部のジャンクション温度（以下：Tj温度）を変化させる⊿Tjパワーサイクルと、 試料のケース温度（以下：Tc温度）を変化させる⊿Tcパワーサイクルがあります。 （試験目的） 加速寿命試験として市場における試料故障率を評価します。 以下に試験モードと故障個所を紹介します。 （試験モード① ：⊿Tjパワーサイクル） ⊿Tjパワーサイクルは、Tj温度を短時間で加熱・冷却させる試験であり、主に試料内部のシリコンチップ上のアルミワイヤー接合部とシリコン チップ下の半田接合部の寿命の評価です。 （試験モード② ：⊿Tcパワーサイクル） ⊿Tcパワーサイクルは、Tc温度を任意の上下限温度に上昇・降下するまで電力印加・停止する試験であり、主に試料内部のシリコンチップ下の 半田接合部と絶縁基板と銅ベース間の半田接合部の寿命の評価です。 （試料故障） それぞれのパワーサイクル試験を実施することで、各構造部の線膨張係数差によるせん断歪により、各構造部の接合部に亀裂が生じ、 そのまま亀裂が進んで行くことで接合部温度が上昇し破壊に至ります。 （故障解析） パワー半導体デバイスでは、故障の有無、寿命、信頼性と、動作時の温度が密接に関係しており、その温度上昇の解析・計算で用いられるのが 熱抵抗です。 デバイス内部の温度 125℃ 25℃ 半導体チップ内⊿Tj （=Tjmax-Tjmin） 数S～数min OFF ON OFF ON OFF ON 半導体チップ 半田 絶縁基板 半田 Cuベース（放熱） Cuベース（放熱） 半田 デバイス内部の加熱部位 絶縁基板 Cuベース（放熱） ワイヤーボンディング 半導体チップ 半田 クラック デバイス内部の故障部位 エスペック技術情報 Test Navi Report　No. 26　(通巻83号) Page 2/5 新機能紹介 パワーサイクル試験装置に構造関数を使った熱解析機能を搭載しました② 過渡熱抵抗と構造関数 （熱抵抗） 熱抵抗は、試料温度が十分に飽和した状態、あるいは直流に対するものとして「定常熱抵抗」、短時間の電力パルス印加に対する ものとして「過渡熱抵抗」があります。 （計測方法） パワー半導体