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LED外延与芯片的技术 发展趋势 2009.12.16 内容概要  LED外延芯片的发展现状  LED核心技术的发展趋势  垂直薄膜型LED芯片研发现状 LED外延芯片的发展现状 国产芯片完成情况 形式 考核指标 完成指标 封装（白光） 发光效率≥100lm/W 发光效率：90～110lm/W 功率效率≥350mW/W 功率效率: 370～450mW/W 芯片（蓝光） VF ≤3.5V VF ≤3.3V 饱和电流≥700mA 饱和电流≥1000mA －封装白光器件测试结果 注：以上由三安提供S-50ABMUP系列芯片，华联