为了减小本身的损耗提高效率一般都工作在开关状态.PPT

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为了减小本身的损耗提高效率一般都工作在开关状态

*/89 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 ■基本概念 ◆ 20世纪80年代中后期开始,模块化趋势,将多 个器件封装在一个模块中,称为功率模块。 ◆可缩小装置体积,降低成本,提高可靠性。 ◆对工作频率高的电路,可大大减小线路电感, 从而简化对保护和缓冲电路的要求。 ◆将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自 诊断等信息电子电路制作在同一芯片上,称为功率 集成电路(Power Integrated Circuit——PIC)。 */89 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 ■实际应用电路 ◆高压集成电路(High Voltage IC——HVIC) ?一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片 集成。 ◆智能功率集成电路(Smart Power IC——SPIC) ?一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片 集成。 ◆智能功率模块(Intelligent Power Module——IPM) ?专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片 集成,也称智能IGBT(Intelligent IGBT)。 */89 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 ■发展现状 ◆功率集成电路的主要技术难点:高低压电路之 间的绝缘问题以及温升和散热的处理。 ◆以前功率集成电路的开发和研究主要在中小功 率应用场合。 ◆智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难 点,最近几年获得了迅速发展。 ◆功率集成电路实现了电能和信息的集成,成为 机电一体化的理想接口。 */89 本章小结 ■将各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本 特性和主要参数等问题作了全面的介绍。 ■电力电子器件归类 ◆按照器件内部电子和空穴 两种载流子参与导电的情况 ?单极型:肖特基二极管、 电力MOSFET和SIT等。 ?双极型:基于PN结的电 力二极管、晶闸管、GTO和 GTR等。 ?复合型 :IGBT、SITH 和MCT等。 图2-26 电力电子器件分类“树” */89 本章小结 ◆按驱动类型 ?电压驱动型器件 √单极型器件和复合型器件。 √共同特点是:输入阻抗高,所需驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高。 ?电流驱动型器件 √双极型器件。 √共同特点是:具有电导调制效应,因而通态压降低,导通损耗小,但工作频率较低,所需驱动功率大,驱动电路也比较复杂。 ◆按控制信号的波形 ?电平控制型器件 √电压驱动型器件和部分电流驱动型器件(如GTR) ?脉冲触发型器件 √部分电流驱动型器件(如晶闸管和GTO) */89 本章小结 ■电力电子器件的现状和发展趋势 ◆20世纪90年代中期以来,逐渐形成了小功率 (10kW以下)场合以电力MOSFET为主,中、大 功率场合以IGBT为主的压倒性局面,在10MVA以 上或者数千伏以上的应用场合,如果不需要自关 断能力,那么晶闸管仍然是目前的首选器件 。 ◆电力MOSFET和IGBT中的技术创新仍然在继 续,IGBT还在不断夺取传统上属于晶闸管的应用 领域 。 ◆宽禁带半导体材料由于其各方面性能都优于 硅材料,因而是很有前景的电力半导体材料 。 */89 ◆ GTR的结构 ?采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构,并采用集 成电路工艺将许多这种单元并联而成。 ? GTR是由三层半导体(分别引出集电极、基极和发射极)形成 的两个PN结(集电结和发射结)构成,多采用NPN结构。 2.4.2 电力晶体管 图2-16 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 +表示高掺杂浓度,-表示低掺杂浓度 */89 2.4.2 电力晶体管 空穴流 电 子 流 c) E b E c i b i c = b i b i e =(1+ b ) i b 图2-16 c) 内部载流子的流动 ?在应用中,GTR一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为 ?称为GTR的电流放大系数,它反映了基极电流对集电极电流的控制能力。当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时,ic和ib的关系为 ?单管GTR的? 值比处理信息用的小功率晶体管小得多,通常为10左右,采用达林顿接法可以有效地增大电流增益。

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