2010-2015年半导体材料行业市场前景分析及投资风险预测研究报告.pdf

20 10 - 2 015 中国半导体材料 市场深度调研与战略投资前景 咨询报告 北京国际商务调查顾问有限公司 出版日期：2010 4 月 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 2010-2015 中国半导体材料市场深度调研与战略投资前景咨询报告 报告前言】 在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料；将砷化镓、磷化锢、磷化镓、 砷化锢、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料；而将宽禁带(Eg2.3eV)的氮化镓、碳化硅、 硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料。上述材料是目前主要应用的半导体材料，三代半导体 材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。材料的物理性质是产品应用的基础，下表列出了主要 半导体材料的物理性质及应用情况。表中禁带宽度决定发射光的波长，禁带宽度越大发射光波长 越短(蓝光发射)；禁带宽度越小发射光波长越长。其它参数数值越 ，半导体性能越好。电子迁 移速率决定半导体低压条件下的高频工作性能，饱和速率决定半导体高压条件下的 频工作性能。 表 主要半导体材料的比较 材料 Si GaAs GaN 物 禁带宽度 （ev） 1.1 1.4 3.4 理 -7 饱和速率 （×10 cm/s） 1.0 2.1 2.7 性 热导 （W/c ·K） 1.3 0.6 2.0 质 击穿电压（M/cm） 0.3 0.4 5.0 2 电子迁移速率（cm /V ·s） 1350 8500 900 应 光学应用 无 红外 蓝光/紫外 用 高频性能 差 好 好 情 高温性能 中 差 好 况 发展阶段 成熟 发展中 初期 相对制造成本 低 硅材料具有储量丰富、价格低廉、热性能与机械性能优良、易于生长大尺寸高纯度晶体等优 点，处在成熟的发展阶段。目前，硅材料仍是电子信息产业最主要的基础材料，95%以上的半导体 器件和99%以上的集成电路(IC)是用硅材料制作的。在21 世纪，它的主导和核心地位仍不会动摇。 但是硅材料的物理性质限制了其在光电子和 频 功率器件上的应用。 砷化镓材料的电子迁移率是硅的6 倍多，其器件具有硅器件所不具有的高频、高速和光电性 能，并可在同一芯片同时处理光电信号， 公认是新一代的通信用材料。随着 速信息产业的蓬 勃发展，砷化镓成为继硅之后发展最快、应用最广、产量最大的半导体材料。同时，其在军事电