哈尔滨工业大学超高真空磁控与离子束联合溅射设备项目招标.docVIP

哈尔滨工业大学超高真空磁控与离子束联合溅射设备项目招标公告 哈尔滨工业大学招标采购办公室受用户的委托，拟就超高真空磁控与离子束联合溅射设备项目进行公开招标。欢迎具有此项供货能力、资信良好的供应商前来投标。 一、项目名称：超高真空磁控与离子束联合溅射设备 二、招标方式： 公开招标 三、招标编号：HITZB-693 四、采购数量：1 五、主要技术指标： （一）、主要技术性能指标 真空室结构及尺寸 磁控溅射室：Ф560×300（mm）为筒形立式全不锈钢结构。上盖电动提升，前面与侧面各装一个Φ100和Φ63的观察窗,两个CF35四芯引线法兰，两个截止阀，一个旁抽阀，可内烘烤100～150℃。其余各法兰口均按超高真空系统设计，采用胶圈或金属密封。 离子束溅射室：Ф500×450（mm），为筒形立式全不锈钢结构。上盖电动提升，前面与侧面各装一个Φ100和Φ63的观察窗,一个CF35四芯引线法兰，两个截止阀，一个旁抽阀，可内烘烤100～150℃。各法兰口均按超高真空系统设计，采用金属或胶圈密封。磁控溅射室与离子束溅射室之间通过一个CF100超高真空闸板阀连接。 除上述各密封法兰口外，在两个室的四周各留有两个CF35的法兰口，并配以相应的盲板，在离子束室侧前方安装一CF35的法兰，法兰轴心线与水平放置的四工位转靶靶材中心相交，并与其呈30°，并配以相应的观察窗。 真空获得及测量 本系统采用两套FF160/620型(600L/S)分子泵+2XZ-8机械泵分别对磁控溅射室和离子束溅射室进行抽气，两个室分别通过一CC150 超高真空闸板阀实现主抽，通过一Dg35角阀实现旁路抽气。 系统极限真空 磁控溅射室：系统经烘烤后连续抽气，可达6.67×10-5Pa； 离子束溅射室：系统经烘烤后连续抽气，可达6.67×10-5Pa。 两个室从大气开始分别抽气，40分钟可达6.6×10-4Pa。 系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S 3. 系统漏率：停泵关机12小时后真空度≤5Pa。 真空测量：采用二台ZDF数显复合高真空计进行测量。 靶的结构尺寸 在磁控溅射室的底盘上安装四个永磁靶（其中一只可溅射铁磁性材料），永磁靶RF﹑DC兼容。靶材直径Ф60mm，水冷。靶与样品距离为40～70mm 连续可调，并有调位距离显示。 衬底基片 1. 样品水冷加热转盘，在磁控溅射室和离子束溅射室的的上盖上分别安装一个样品水冷加热转盘。每个转盘上分别放置6块样品，其中1块样品安放在1个加热炉上，样品尺寸最大为Ф30mm。水冷加热转盘由步进马达驱动，计算机控制样品公转到位及镀膜过程，样品加热温度：室温～500℃。采用日本岛电公司FP93温度控制器分别对磁控溅射室和离子束溅射室的加热炉进行加热控温。控温精度±2℃。磁控溅射室水冷加热转盘可加直流负偏压，磁控溅射室的样品还可以由磁力传递机构送至离子束溅射室进行离子束清洗，以提高成膜质量。 挡板系统磁控溅射室装有两种挡板：样品挡板和靶挡板，每一个靶配一个靶挡板，由电机驱动，计算机控制；样品挡板由电机驱动；离子束室装有一套样品挡板，由电机驱动。 Kaufman离子枪 溅射枪：Φ30mm ①引出栅直径：Φ30mm； ②离子束能量：0.4~1.9Kev连续可调； ③离子流密度：1~5mA/cm2； ④最大束流：~60mA(短时间可加)； ⑤工作真空度：2×10-2Pa~6×10-2Pa； ⑥常规工作束流：20~40mA； ⑦工作方式：离子源与四工位转靶呈45度照射靶材，向上溅射到转盘上的样品上成膜； ⑧束流电压：0~1500eV连续可调；加速电压：0~400eV连续可调。 辅助沉积枪：Φ30mm ①引出栅直径：Φ30mm； ②离子束能量：0.4~1.5Kev连续可调； ③离子流密度：1~3mA/cm2； ④最大束流：~50mA(短时间可加)； ⑤工作真空度：2×10-2Pa~6×10-2Pa； ⑥常规工作束流：20~30mA； ⑦工作方式：辅助沉积离子源在离子束溅射室内，对与其呈30度角的转盘上的样片照射以清洗样品表面和增强沉积，提高成膜质量。 ⑧束流电压：0~1100eV连续可调；加速电压：0~400eV连续可调； 离子枪挡板：溅射枪和辅助沉积枪分别配有挡板。在离子枪的前面安装一挡板,由磁力转轴引入，溅射枪电动控制，辅助沉积枪手动控制。 四工位转靶在转盘一个工位的下方安装一个四工位转靶，每一个工位安装一个靶材，靶材尺寸为70×70mm，转靶通水冷却，靶材平面与溅射离子枪呈45°。转靶由步进电机驱动，计算机控制转靶转动到不同的四个工位。 转靶挡板，转靶配有一个筒形挡板。 采用计算机控制镀膜系统 磁控溅射和离子束溅射镀膜过程均采用计算机控制，（计算机由用户提供），即：控制水冷加热转盘公转，靶挡板开关，四工位转靶旋转。