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浙江2011年4月自学考试线性电子电路试题
浙江省2011年4月自学考试线性电子电路试题
课程代码:02340
一、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分)
请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
1.变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的,应工作在______状态。
2.晶体三极管的三个电极对地电位分别为VA=-2V,VB=-2.2V,VC=-6V,则该管的管型是______。
3.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是______。
4.MOS管作为开关应用时,其工作状态应在非饱和区和______之间转换。
5.晶体管的高频参数fT是指β(ω)下降到______dB时所对应的频率。
6.集成运算放大器最大输出电压为±Vom,若该运放工作在开环或正反馈状态,其输出电压是______。
7.在放大电路中,要稳定输出电压,应引入______负反馈。
8.在差分放大器中,已知Vi1=15mv,Vi2=10mv,则输入差模电压Vid=______。
9.理想集成运放的共模抑制比为______,因此具有很强的抑制共模信号的能力。
10.场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈______关系。
二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.二极管的伏安方程是( )
A.iD=Is(-1) B.iD=Is
C.iD=-Is D.iD=Is
2.晶体三极管工作在饱和状态时,其两个PN结的偏置状态是( )
A.发射结正偏,集电结正偏 B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏
3.场效应管共漏极放大电路的信号是从( )
A.栅极输入,漏极输出 B.源极输入,漏极输出
C.栅极输入,源极输出 D.漏极输入,源极输出
4.设计一运算电路实现三角波——方波的变换,应选用______实现。( )
A.同相比例电路 B.反相比例电路
C.积分电路 D.微分电路
5.当集成运放工作在线性放大状态时,可运用______两个重要的概念。( )
A.开环和闭环 B.虚短和虚断
C.虚短和虚地 D.线性和非线性
6.要增大放大器的输出电阻及减小输入电阻,可采用______放大电路。( )
A.电流并联负反馈 B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈 D.电压串联负反馈
7.由运算放大器构成的电压比较器,抗干扰能力最强的是( )
A.单限电压比较器 B.过零电压比较器
C.迟滞电压比较器 D.窗口电压比较器
8.负反馈放大电路的开环增益是A,反馈系数为kf,则闭环增益Af的表达式是( )
A. B.
C.Akf D.1+Akf
9.设计一负反馈放大器,实现电压——电流的变换,应引入( )
A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈
10.放大电路在信号的高频段时,放大倍数下降的原因是( )
A.耦合电容和旁路电路的存在 B.晶体管极间电容和分布电容的存在
C.晶体管非线性的影响 D.放大电路的静态工作点设置不合理
11.放大器产生零点漂移的主要原因是( )
A.电压增益太大 B.环境温度变化
C.采用直接耦合方式 D.采用阻容耦合方式
12.由NPN管组成的单级共发射电路,当集电极电阻Rc增大时,工作点Q的ICQ和VCEQ的变化是( )
A.ICQ增大、VCEQ增大 B.ICQ增大、VCEQ减小
C.ICQ不变、VCEQ减小 D.ICQ不变、VCEQ不变
13.随着温度的升高,晶体三极管的______将减小。( )
A.β B.VBE(on)
C.ICBO D.ICEO
14.集成运算放大电路的输入级通常采用______电路。( )
A.共集电极放大 B.共发射极放大
C.差分放大 D.共基极放大
15.设计一单级晶体管放大器,要求输入电阻大,输出电阻小,应选择______电路。( )
A.共发射极放大 B.共基极放大
C.共源极放大 D.共集电极放大
三、简答题(本大题共3小题,每小题5分,共15分)
1.如题三(1)图所示电路,T1、T2、T3的特性相同,β1=β2=β3,并足够大,VBE1=VBE2=VBE3=0.7V,求IREF和V1-V2。
题三(1)图
2.如题三(2)图所示电路,VI为整流滤波后的电压,试求输出电压Vo的表达式。
题三(2)图
3.如题三(3)图所求T型网络,设集成运放是理想的,求输出电压Vo的表达式。
题三(3)图
四、分析计算题(本大题共5小题,每小题9分,共45分)
1.电路如题四(1)图所示,设所有电容对交流均视为短
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