- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
电子学试题1
電子學 上冊 選擇 100題 P1
(2)? 1. 積體電路晶片上所包含的元件數目在100至1000個之間? (1)SSI (2)MSI (3)LSI(4)VLSI。
(2)? 2. 電子學的發展歷程依順序為 (1)積體電路、電晶體、真空管 (2)真空管、電晶體、積體電路 (3)電晶體、真空管、電子電路 (4)電晶體、積體電路、電腦。
(3)? 3. 在電子學的定義中,所研究的範圍不包括那一種介質的環境 (1)真空中 (2)半導體中 (3)岩石中 (4)氣體中。
(4)?????????????????? 4. 在大型積體電路(LSI)中,其邏輯閘數為多少? (1)100~1000個 (2)1000~ 10000個 (3)10~100個 (4)100~10000個。
(4)?????????????????? 5. 在超大型積體電路(VLSI)中,其元件數為多少? (1)100以下 (2)100~1000個 (3)1000~10000個 (4)100000以上。
(3)? 6. 電晶體於1947年由 (1)高斯 (2)馬克斯威爾 (3)巴登,布拉吞(D)貝爾 (4)。
(3)? 7. 積體電路的優點不包括那一項 (1)體積小 (2)重量輕 (3)價格貴 (4)容量大。
(2)? 8. 小型積體電路(SSI)其電子元??數目為(1)10以下 (2)100以下 (3)100~1000 (4)100以上。
(4)? 9. 二極真空管是誰發明的 (1)比爾 (2)布朗 (3)庫倫 (4)佛萊明。
(4) 10. VLSI超大型積體電路,在一晶片上包含有幾個電子元件數? (1)100以下 (2)100~1000個 (3)1000~10000個 (4)10000個以上。
?
(2) 11. 所謂本質半導體是指 (1)加入雜質 (2)不加入雜質 (3)加入元素。
(1) 12. 自由電子所帶的電荷,通常為 (1)負電 (2)正電 (3)中性 (4)不帶電。
(2) 13. 電洞通常表示帶有 (1)負電 (2)正電 (3)零 (4)不帶電的特性。
(2) 14. 電子與電洞所移動的方向為 (1)相同 (2)相反 (3)沒有關係 (4)交叉。
(4) 15. 一般所謂的電流是指 (1)電子流 (2)原子流 (3)質子流 (4)電洞流。
(3) 16. 擴散電流通常為 (1)原子擴散造成的 (2)原子濃度不均所造成 (3)載子濃度不均所造成 (4)空氣擴散所造成的。
(2) 17. 漂移電流通常發生在 (1)原子濃度不均所造成的 (2)外加電壓之作用後 (3)外加空氣之作用後 (4)外加雜質之作用後。
(3) 18. 擴散電流與漂移電流可能同時發生在 (1)金屬中 (2)空氣中 (3)半導體中 (4)絕緣體中。
(1) 19. 所謂外質半導體乃是指 (1)加入雜質的半導體 (2)額外存在的半導體 (3)純的半導體 (4)受到污染的半導體。
(4) 20. N型半導體通常是指加入幾價雜質元素?(1)二價 (2)三價 (3)四價 (4)五價。
?
(2) 21. P型半導體通常是指加入幾價雜質元素?(1)二價 (2)三價 (3)四價 (4)五價。
(2) 22. 下列那一個是屬於三價元素? (1)磷 (2)鋁 (3)砷 (4)銻。
(1) 23. 所謂施體雜質是指(1)N型 (2)P型 (3)A型 (4)B型??? 半導體。
(2) 24. 所謂受體雜質是指 (1)N型 (2)P型 (3)A型 (4)B型??? 半導。
(4) 25. 空乏區的形成為那種接面所形成(1)P (2)N (3)AB (4)PN?? 接面。
(3) 26. 在空乏區形成後,於此空乏區記憶體有 (1)電子載子 (2)電洞載子 (3)正負離子 (4)電子與電洞載子。
(2) 27. 在外加順向偏壓下空乏區會(1)變大 (2)變小 (3)不變 (4)先變大後變小。
電子學 上冊 選擇 100題 P1
(1) 28. 在外加逆向偏壓下,空乏區會 (1)變大 (2)變小 (3)不變 (4)先變大後變小。
(2) 29. P型端的多數載子為 (1)電子 (2)電洞 (3)質子 (4)離子。
(1) 30. N型端的多數載子為 (1)電子 (2)電洞 (3)質子 (4)離子。
?
(1) 31. 下列何種效應,可測知半導是N型或P型? (1)霍爾效應 (2)光電效應 (3)壓電效應 (4)熱電效應。
(1) 32. 矽二極體的兩端施加直流電壓為0.9伏特,並測得電流為10m(A),則此二極體的靜態電阻為 (1)90Ω (2)90kΩ (3)80Ω (4)100kΩ。
(3) 33. 在理想二極體中,當外加順向偏壓時,將會使電路 (1)斷路 (2)開路 (3)導通 (4)故障。
(4) 3
原创力文档


文档评论(0)