河北科技大学大学英语课.doc

河 北 科 技 大 学 教 案 用 纸 第 11 次课 2 学时 上次课复习： 变压器的变压、变流和变阻抗作用 本次课题（或教材章节题目）：二极管和稳压管 教学要求：了解二极管和稳压管的结构、工作原理；掌握特性曲线、主要参数和应用；理解PN结的单向导电性。 重 点：掌握主要特性、主要参数的含义，掌握各元件的应用。 难 点： PN结的单向导电性。 教学手段及教具：多媒体 讲授内容及时间分配： 1.1 半导体基础知识 1、半导体及其主要特性 （1）热敏性：温度敏感元件（热敏电阻） （2）光敏性：光敏元件 （3）掺杂性 2、本征半导体（纯净） （1）晶体结构 （2）本征半导体中的载流子 3、掺杂半导体 （1）N型半导体 （2）P型半导体 4、PN结及单向导电性 （1）PN结的形成 （2）单向导电性 1.2 半导体二极管 1、结构与符号 2、伏安特性 （1）正向特性 （2）反向特性 3、主要参数 4、应用 课后作业 1-1，1-2，1-4 参考资料 注：本页为每次课教案首页 河 北 科 技 大 学 教 案 用 纸 1.1 半导体的导电特性 1. 半导体及其主要特性 （1）半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间，如硅、锗、一些硫化物、氧化物 （2）特性：①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 2. 本征半导体（完全纯净、结构完整） （1）晶体结构：共价键结构 稳定时共价健中的价电子不能成为自由电子，受外界激发（光照、加热） ①挣脱束缚：形成自由电子并在原共价键中留下空位（即空穴） ②填补空位：自由电子与穴同时消失（即复合） （2）本征半导体中的载流子：自由电子-空穴对 3. 掺杂半导体 （1）N型半导体：在硅（锗）晶体内掺入少量的五价元素（磷、锑） ①多子（主要导电的载粒子）：自由电子 ②少子：空穴（热激发形成） （2）P型半导体：在硅（锗）晶体内掺入少量的三价元素（硼、铝） ①多子：空穴 ②少子：自由电子（热激发形成） 4. PN结及单向导电性 （1）PN结的形成 ①扩散②漂移③动态平衡 （2）单向导电性 ①PN结加正向电压（正偏置）：高电位端 P区，低电位端 N区 E外与E内方向相反，削弱内电场，空间电荷区变薄，多子的扩散加强，形成扩散电流（I正）；E外越大，I正越大（PN结导通，呈低阻状态）。 ②PN结加反向电压（反偏置）：高位端 N区，低位端 P区 E外与E内方向相同，增强内电场，空间电荷区变宽，少子的漂移运动加强，形成漂移电流（I反）。少子数量少且与温度有关，故I反小且与温度有关而与E外无关（PN结截止，呈高阻状态） 1.2 半导体二极管 1.结构 （1）点接触：PN结面积小，极间电容小，小电流（高频检波、脉冲数字电路中的开头元件） （2）面接触：PN结面积大，胡间电容大，电流大（整流） 2.符号： 阳（+） 阴（-） 3.伏安特性： I = f（U） （1）正向特性 ①死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V ②工作电压（正向导通区）：硅管0.7V，锗管0.3V （2）反向特性 ①反向饱和电流：硅管纳安级，锗管微安级 因少子数量小，故I反小，但是：toc↑→少子↑→I反↑ ②反向击穿特性： 4.主要参数 （1）最大整流电流IOM；（2）反向工作峰值电压URWM；（3）反向峰值电流IRM 5.应用 （1）检波——把已调制好的高频信号中的低频信号取出 调制：低频信号使高频信号的幅度、频率等随之变化 （2）整流——把交流变换成直流 （3）钳位 （4）限幅 问题讨论： 当ui=0v、6V时，u。=？ 当ui=6sinωt时，画u。波形。 解：a、ui=0v时，D反偏截止，u。=0 ui=6v时，D正偏导通 若管压降为零，则u。=E=3v 若管压降为0.7v,则u。= E +0.7