林明祥 集成电路制造工艺课件 第五章 光刻教材课程.ppt

第五章 光刻;光刻是IC制造业中最为重要的一道工艺; 集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小，也与光刻技术的近一步发展有密切的关系。 通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的技术水平。 ;光刻的定义：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。;光刻的要求;1. 高分辨率 分辨率是将硅片上两个邻近的特征图形区分开来的能力，即对光刻工艺中可以达到的最小光刻图形尺寸的一种描述，是光刻精度和清晰度的标志之一。随着集成电路的集成度提高，加工的线条越来越细，对分辨率的要求也越来越高。;2.高灵敏度 灵敏度是指光刻胶感光的速度。为了提高产量要求曝光时间越短越好，也就要求高灵敏度。;4.大尺寸硅片的加工 随着晶圆尺寸增大，周围环境会引起晶圆片的膨胀和收缩。因此对周围环境的温度控制要求十分严格，否则会影响光刻质量;光刻胶种类;正性光刻胶－Positive Optical Resist;正胶机制;负性光刻胶 Negative Optical resist; 小结：正性和负性光刻胶;正胶和负胶的比较;负胶 ? 曝光后变为不可溶 ? 显影时未曝光的部 分溶解于显影液 ? 图形与掩模版相反 ? 分辨率较低 ? 含二甲苯，对环境、 身体有害。;分辨率 (resolution) 敏感度 (Sensitivity) 对比度 (Contrast) 粘滞性 粘附性 抗蚀性;1.光刻胶的分辨率（resolution） ;2.灵敏度S (Sensitivity);3.对比度(Contrast);4.粘滞性;6.抗蚀性;光刻胶由4种成分组成： 树脂（聚合物材料） 感光剂 溶剂 添加剂（备选） ;树脂 树脂是一种惰性的聚合物，包括碳、氢、氧的有机高分子。用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂。 对负性胶，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态。在大多数负性胶里面，聚合物是聚异戊二烯类型。是一种相互粘结的物质－－抗刻蚀的物质，如图所示。; 正性胶的基本聚合物是苯酚－甲醛聚合物，也称为苯酚－甲醛树脂。如图所示。 在光刻胶中聚合物是相对不可溶的，用适当能量的光照后变成可溶状态。这种反应称为光溶解反应;固体有机材料（胶膜的主体） 转移图形到硅片上 UV曝光后发生光化学反应，溶解性质发生改变 正胶从不可溶到可溶 负胶从可溶到不可溶;感光剂 光刻胶中的感光剂是光刻胶材料中的光敏成分。在紫外区，会发生反应。即对光能发生化学反应。 如果聚合物中不添加感光剂，那么它对光的敏感性差，而且光谱范围较宽，添加特定的感光剂后，可以增加感光灵敏度，而且限制反应光的光谱范围，或者把反应光限制在某一波长的光。;;溶剂 光刻胶中容量最大的成分是溶剂。添加溶剂的目的是光刻胶处于液态，以便使光刻胶能够通过旋转的方法涂在晶园表面。 绝大多数的溶剂在曝光前挥发，对于光刻胶的光化学性质几乎没有影响。;添加剂 光刻胶中的添加剂通常是专有化学品，成份由制造商开发，但是由于竞争原因不对外公布。 主要在光刻胶薄膜中用来改变光刻胶的特定化学性质或光响应特性。如添加染色剂以减少反射。 ;; 为确保光刻胶能和晶园表面很好粘结，必须进行表面处理，包括三个阶段：微粒清除、脱水和涂底胶。;1 第一步:微粒清除 目的：清除掉晶圆在存储、装载和卸载到片匣过程中吸附到的一些颗粒状污染物。 清除方法： 1）高压氮气吹除 2）化学湿法清洗：酸清洗和烘干。 3）旋转刷刷洗 4）高压水流喷洗;第二步:脱水烘焙 1 目的：干燥晶圆表面，使基底表面由亲水性变为憎水性，增加表面粘附性。 经过清洁处理后的晶园表面可能会含有一定的水分（亲水性表面），所以必须脱水烘焙使其达到清洁干燥（憎水性表面），以便增加光刻胶和晶园表面的黏附能力。 保持憎水性表面通常通过下面两种方法：一是保持室内温度在50℃以下，并且在晶园完成前一步工艺之后尽可能快的进行涂胶。另一种方法是把晶园存储在用干燥并且干净的氮气净化过的干燥器中。 ; 除此之外，一个加热的操作也可以使晶园表面恢复到憎水表面。有三种温度范围： ;第三步 晶圆涂底胶 1 用hexamethyldisilazane（HMDS）进行成膜处理 (HMDS:六甲基乙硅烷) 2.要求： 在晶圆表面建立薄的、均匀的、并且没有缺陷的光刻胶膜 3 光刻胶的厚度：0.5μm-1.5μm；均匀性： ±0.01μm;2.旋转涂胶（Spin-on PR Coating） ; 光刻胶覆盖;动态喷洒 随着晶园直