浸入式光刻技术知识.pptVIP

浸入式光刻技术;什么是浸入式？ 与传统光刻的区别？ 浸入式光刻的原理？ 有什么优缺点？ ;与传统的光刻技术相比，浸没式光刻技术需要在光刻机投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片上的光刻胶之间充满高折射率的液体。 结构对比简图;为什么在镜头与硅片间加入液体？;浸入式光刻技术的发现及发展;到现在为止，Core i5使用193nm液浸式光刻系统实现45纳米制程。Core i7于2010年发表使用193nm液浸式光刻系统实现32纳米制程的产品。 由于193纳米光刻是目前能力最强且最成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，所以其工艺的延伸性非常强，很难被取代。因而在2011年国际固态电路会议(ISSCC2011)上也提到，在光刻技术方面，22/20nm节点主要几家芯片厂商也将继续使用基于193nm液浸式光刻系统的双重成像（double patterning）技术。 ;浸没液体的研究;第二代浸没液体--饱和烷烃化合物 第二代浸没液体的研究着重寻找单一成分的、 具有高折射率的液体。考虑到要避免193nm处的吸收, 其研究主要集中在含C和H的饱和烷烃上。 简单的饱和烷烃化合物有正己烷、正庚烷及正癸烷等,它们在 193nm处具有很高的透明性,但它们的折射率偏低, 只有1.5左右,而环状烷烃一般具有更高的折射率, 可达到1.6以上。单环烷烃由于超过12个C原子数就会在室温下呈现固态,因此,一些低分子量的双环烷烃被开发出来,这些直链、支链、单环及双环的饱和烷烃化合物一般被统称为第二代高折射率浸没液体。;总之,目前在极大规模集成电路产业化应用中 仍以纯水介质为主,工艺也日趋完善。在2007年的 ITRS中,水为浸没液体的双图形曝光工艺被认为是目前45nm半节距工艺的唯一途径,而非水介质由于受浸出性能、接触角以及流体回收等方面条件的限制而滞留于研究阶段。;液体浸没方式;局部浸没法;局部浸没法的特点;气泡的消除(曝光缺陷);浸没式光刻技术已经展现出巨大的优势，浸没带来的一系列难题也找到了相应的对策。浸没式光刻机将在20nm以下节点发挥重要作用。同时，浸没式光刻技术也显示出巨大的发展潜力，浸没式光刻机将继续朝着更大数值孔径的方向发展。 相信浸入式光刻技术会在当今光刻最前沿???地方等着我们。;感谢各位老师