浸没式光刻技术知识.pptVIP

;背景;所谓准分子激光，是指受激二聚体（惰性气体和卤素两种元素）所产生的激光，波长范围为157～353nm，所属紫外激光波段。氟化氩(ArF)混合物产生的波长为193nm的超紫外冷激光. 光刻技术在半导体器件大规模生产中发挥重要作用.今天,多数先进半导体生产都已经应用ArF准分子激光浸没光刻技术.双重图像曝光和侧壁图像转移技术使ArF准分子激光浸润光刻技术延伸到32纳米半节距(HP)器件的制造成为可能. ;193nm浸没式光刻技术;（一）浸没式光刻的原理;投影物镜的数值孔径 NA=nsinq 其中，n 为投影物镜与硅片之间介质的折射率，q 为光线最大入射角。在最大入射角相同的情况下，浸没式光刻系统的数值孔径比传统光刻系统增大了n 倍。而从傅里叶光学的角度，数值孔径扮演着空间频率低通滤波器阈值的角色。注入高折射率的浸没液体可以使更高空间频率的光波入射到光刻胶上，因此成像分辨率得以提高。;根据瑞利判据，光刻机的分辨率R 和焦深DOF 为;（二）浸没式光刻带来的主要问题及对策;在大多数波段水的折射率为1.33 左右，而在193nm 附近，水的折射率高达1.437。水在193nm波段的吸收系数很低，仅为0.035/cm。光刻机的生产率与照明光的透射率成正比，因此为了减小水对光的吸收，水层的厚度不能太大。 另外，还要考虑水层的厚度对扫描速度的影响。在500mm/s 的扫描速度下，水层的厚度应该控制在1~2mm。;2.液体浸没方式(局部浸没法); 硅片浸没法示意图; 工件台浸没法示意图 ; 局部浸没法示意图;局部浸没法可以解决硅片浸没法和工件台浸没法存在的一些问题。局部浸没法中投影物镜是固定的，最后一个透镜的下表面始终浸没在液体中。在步进扫描过程中，硅片的不同部位浸没在液体中。 在硅片的一侧设置一个喷嘴，将液体注入到镜头下面，在另一侧设置一个吸嘴将液体吸回，形成液体的流动。这种结构也被称为喷淋结构。 ;局部浸没法的优点： 1) 工件台本质上与干式系统相同，这样将节省研发成本和 时间； 2) 可以保留干式光刻系统的对准系统和调焦调平系统； 3) 注入的液体容量比较小，可以快速注满和排空，保??了 较高的生产率。 局部浸没法的缺点： 在对硅片边缘部分进行曝光时，硅片边缘的液体容易发生泄漏，从而导致边缘曝光场的成像质量较差。因此，采取局部浸没法设计方案时，应当采取有效的液体防泄漏措施。 ;3.大数值孔径投影物镜的设计（折反式投影物镜）; Nikon 公司设计的折反式投影物镜;4.偏振光照明(无损偏振光照明系统);高数值孔径下s 偏振光和p 偏振光的成像对比度;激光器输出的光一般是线偏振光，然而光刻机照明系统中光学材料的本征双折射和应力双折射会使光的偏振态发生变化，光学薄膜的偏振特性以及光在界面的反射和折射也会影响光的偏振态。因此为了实现偏振光照明，需要对整个照明系统进行偏振控制。简单地在光路中插入偏振器件，会损失大量的激光能量，意味着光刻机生产率的下降。如果通过提高激光器的输出功率补偿光能损失，会使激光器和照明光路元件的寿命下降。; Nikon 公司的无损偏振光照明系统框图;5.液体温度变化带来的影响(热量累积效应);6.气泡的消除(曝光缺陷);7.光刻胶与污染(污染沉积);（三）展望;今后各公司将使用各种第二代浸没液体和高折射率底部透镜材料搭建实验平台进行曝光测试，分析曝光缺陷、线宽均匀性、液体的循环以及液体对成像质量的影响，找到最佳的材料，在此基础上设计更高数值孔径的浸没式光刻机，以应对更小光刻线宽的挑战。