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Chap.9 非晶硅薄膜太阳电池材料;目录; ; ;三、非晶硅结构，非晶硅特性，H稀释;缺陷和亚稳态 大量的悬空健 SW光致衰退效应： 非晶硅薄膜及其合金的光、暗电导率随光照时间加长而减少， 经一定温度下退火后可恢复原状。这种现象首先由Stabler 和Wronski 发现。这是非晶硅材料结构的一种光致亚稳态变化效应，称作光致衰退效应。 ;电子态密度 电子态密度，g(E)。 ;掺杂 非晶硅中掺杂低效，大多数掺杂原子不能贡献自由电子和提升Fermi能级；对于能贡献电子的掺杂原子，有一个悬空键接受它。这些缺陷态能级正好位于导带下面，因此，这些掺杂原子的掺杂效应比晶体硅的掺杂是比较低效的。;三、非晶硅结构，非晶硅特性，H稀释;三、非晶硅结构，非晶硅特性，H稀释;三、非晶硅结构，非晶硅特性，H稀释;四、非晶硅薄膜制备方法;六、非晶硅太阳电池的基本结构，制备工艺;六、非晶硅太阳电池的基本结构，制备工艺;六、非晶硅太阳电池的基本结构，制备工艺;六、非晶硅太阳电池的基本结构，制备工艺;七、非晶硅太阳电池特点;七、非晶硅太阳电池特点;七、非晶硅太阳电池特点;七、非晶硅太阳电池特点;八、非晶硅太阳电池研究现状及产业化现状;A multijunction solar cell consisting of two pin solar cells deposited in series.Double-junction (or “tandem,” as shown) 。Substrate texturing, which is important in real devices, is notindicated;Structure of triple-junction nip substrate-type solar cells;非晶/微晶 前后电池 a-Si/μc-Si 前后电池 ，Micromorph 电池， 1.7 eV/1.1 eV 底电池μc-Si 的电流密度至少应有26 mA/cm2， a-Si/μc-Si 前后电池才能与a-Si/a-SiGe 电池性能相当。这就需要： μc-Si几个微米厚度（非直接带隙半导体）； 优良的陷光方案 顶部a-Si电池产生13 mA/cm2，（与微晶电池相配）；光照下， a-Si电池稳定。 ;两种方法可实现上述目标： — a-Si本征层可在较高温度下制备（较少的H和较低的带隙宽度1.65eV）； —在隧道结中上下电池间插入一层半反射层，起到电流匹配作用（提高顶部电流,牺牲部分底部电流）。这样可以实现顶部电池13 mA/cm2密度。 可以实现11-12%的电池转换效率，前不久Oerlikon宣布转换效率达到13%。;优势： 非晶/微晶硅太阳能薄膜电池可以在廉价的衬底材料上制备，既具有非晶硅制备工艺简单、便于大面积连续化生产等优点，同时具有高效率高稳定性的特点，市场竞争力强，发展前景广阔。 ;由于微晶硅具有两大优点，一是微晶硅具有类似单晶硅的低光学带隙，因此可明显拓展长波光谱响应，从而实现高的电流密度；二是具有很小的光致衰变效应，可明显提高电池的稳定性，因此微晶硅在光学、电学和微结构方面等方面受到广泛的重视和研究。