太阳能电池用锗衬底片.docVIP

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太阳能电池用锗衬底片

太阳能电池用锗衬底片 范围 本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的产品分类、技术要求、试验方法,检测规则以及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)。 本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗衬底片。(以下简称锗衬底片) 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化的测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅抛光片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 13387 电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 26072 太阳能电池用锗单晶 GB/T 26074 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法 要求 3.1产品分类: 锗衬底片按导电类型分为两种类型: N型:主要用于单结电池; P型:主要用于三结电池。 3.2 规格 锗衬底片按直径分为(50.8mm、(100mm 、(150mm。 3 .3物理性能参数及晶体完整性 锗衬底片导电类型、掺杂剂、电阻率范围应符合的规定。 μm 140-200 140-200 240-270 厚度允许偏差/μm ±15 ±15 ±15 主参考面长度/mm 17±1.0 32.5±1.0 57.5±2.5 总厚度变化(TTV)/μm ≤10 ≤15 ≤15 弯曲度(BOW)/μm ≤15 ≤20 ≤30 翘曲度(WARP)/μm ≤15 ≤20 ≤30 总平整度(TIR)/μm ≤5 ≤5 ≤5 强度/lb ≥5 ≥5 ≥5 3.5表面质量 锗衬底片的表面质量应符合表2的规定。 表2 正 表 面 序 号 项目 最大缺陷限度 1 划伤 无 2 蚀坑 无 3 雾 无 4 亮点(颗粒沾污) 锗衬底片直径/mm 50.8 100 150 数量/(个/片) 4 10 15 5 区域沾污 无 6 崩边 无 7 裂纹 无 8 凹坑 无 9 沟(槽) 无 10 小丘 无 11 桔皮,波纹 无 12 状态 开盒即用 背 表 面 13 崩边 无 14 裂纹 无 15 区域沾污 无 16 背表面处理 酸或碱腐蚀,吸除处理或由供需双方商定 3.6 边缘轮廓 锗衬底片须经边缘倒角,倒角后的边缘轮廓应符合YS/T 26的规定,特殊要求可由供需双方协商确定。 3.7其他 需方如有对本标准规定以外的技术参数,由供需双方另行商定。 4试验方法 4.1 锗衬底片的导电类型测量按GB/T 1550进行。 4.2 锗衬底片的电阻率测量按GB/T 26074进行。 4.3 锗衬底片的晶向及晶向偏离度测量按GB 1555 进行。 4.4 锗衬底片的载流子浓度测量按GB/T4326 进行。 4.5 锗衬底片的晶体完整性检验测量按GB/T 5252进行。 4.6 锗衬底片的直径测量用千分尺或精度相当的量具进行。 4.7 锗衬底片的厚度和总厚度变化测量参照GB/T 6618 进行。 4.8锗衬底片的主参考面长度参照GB/T 13387进行。 4.9 锗衬底片的弯曲度参照GB/T 6619 进行。 4.10锗衬底片的翘曲度参照GB/T 6620 进行。 4.11 锗衬底片的总平整度参照GB/T 6621 进行。 4.12 锗衬底片的表面质量参照GB/T 6624 进行。 4.13 锗衬底片的边缘轮廓参照GB/T 13387进行。 4.14 锗衬底片的强度测量按附录A进行。 5 检验规则 5.1检查和验收 5.1.1产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准(或订货合同)的规定,并填写产品质量保证书。 5.1.2需方可对收到的产品按本标准(或订货合同)的规定进行检验,若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符时,应在收到产品之日起三个月内向供方提出,由供需双方协商解决。 5.2组批 锗衬底片应成批提交验收,每批应由相同规格的产品组成。 5.3检验项目 每批锗衬底片抽检的项目有:物理性能参数及晶体完整性、几何参数、表面质量和边缘轮

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