微米逻辑集成电路的电学测试.docVIP

PAGE PAGE I PAGE I 毕业论文 中图分类号： 0.15微米逻辑集成电路的电学测试 专业名称： 工业电气自动化 学生姓名： 导师姓名： 职称 中图分类号： 密级： UDC： 单位代码： 0.15微米逻辑集成电路的测试 0.15μm Logic CMOS integrate circuit test. 姓　 名 学　　制 专 业 研究方向 导　 　师 职　　称 论文提交日期 论文答辩日期 摘 要 本论文首先介绍了集成电路测试的研究意义以及主要作用，重点对0.15μm Logic CMOS 集成电路进行电学性能测试。集成电路中，有源元件起着极为关键的作用。本文针对MOSFET进行了理论分析。 1. 采用最大跨导斜率法对0.15μm Logic CMOS集成电路的阈值电压VT进行了测试，测量了MOS沟道形成强反型时的栅极电压。 2. 对0.15μm Logic CMOS集成电路的核心电路（Ncore和Pcore）的漏极饱和电流进行了测试。根据其转移特性曲线和输出特性曲线分析了漏极饱和电流与背栅压的变化关系并得