微米逻辑集成电路的电学测试.doc

PAGE PAGE I PAGE I 毕业论文 中图分类号： 0.15微米逻辑集成电路的电学测试 专业名称： 工业电气自动化 学生姓名： 导师姓名： 职称 中图分类号： 密级： UDC： 单位代码： 0.15微米逻辑集成电路的测试 0.15μm Logic CMOS integrate circuit test. 姓　 名 学　　制 专 业 研究方向 导　 　师 职　　称 论文提交日期 论文答辩日期 摘 要 本论文首先介绍了集成电路测试的研究意义以及主要作用，重点对0.15μm Logic CMOS 集成电路进行电学性能测试。集成电路中，有源元件起着极为关键的作用。本文针对MOSFET进行了理论分析。 1. 采用最大跨导斜率法对0.15μm Logic CMOS集成电路的阈值电压VT进行了测试，测量了MOS沟道形成强反型时的栅极电压。 2. 对0.15μm Logic CMOS集成电路的核心电路（Ncore和Pcore）的漏极饱和电流进行了测试。根据其转移特性曲线和输出特性曲线分析了漏极饱和电流与背栅压的变化关系并得到Ids的具体值。 3. 对0.15μm Logic CMOS集成电路的阈值电压和漏极饱和电流随器件的长度和宽度的变化曲线（Roll-off曲线）进行了分析，探索沟道的宽度和长度对器件稳定性的影响。 5. 对0.15μm Logic CMOS集成电路的漏电流（Ioff）进行了测试分析。随着MOS管特征尺寸的不断减少，MOS管的漏电流（Ioff）已变得越来越重要，尤其在低功率的集成芯片中。因为漏电流（Ioff）的大小直接影响了芯片的工作速度和功耗，只有分析清楚它的组成成分，才能采取有效的方法减少它的产生。 6. 利用反相器原理采用多级结构对0.15μm　MOSFET的速度进行测试分析。 关键字：集成电路 硅片测试 栅极氧化物 Abstract The thesis first introduce integrate circuit history, then to expatiate its researching meaning and main effect,main research 0.15μm Logic CMOS integrate circuit electrical test. Active components play a role in the integrate circuit.The thesis analyse the the theory and basic structure of MOSFET. 2. Analyse the electrical performance of the 0.15μm Logic CMOS integrate circuit. 1) Take the method of maximal differential coefficient test the threshold current and the threshold voltage of 0.15μm　MOSFET. 2) Test the drain saturated current of 0.15μm MOSFET　Ncore and Pcore.Find the relation of drain saturated current according to its transfer curve and output curve,at the same time abtain the value of the Ids drain saturated current. 3) Analyse the Roll-off curve of 0.15μm　MOSFET，find the effect of channel width and lenth on MOSFET device. 4) Test and analyse the leak current of 0.15μm　MOSFET.With the decrease of MOS critical dimension，the leak current become more important because it effect directly the working speed and power cost.Only analyse the element o