射频电路设计技术讲解第八章.ppt

第8章 功率放大器;8.1 前 言;功率放大器设计技术中低噪声系数、高输出功率和低直流功耗是最关心的性能。 在毫米波频段晶体管增益受到限制，短截线匹配和阻抗变换器等传统的匹配技术仍将继续发展。 本章描述了用于设计射频功率放大器的最重要的技术，简要地回顾了S参数、双端口稳定性、单向转换增益的理论及分析方法。在介绍各种各样的射频功率放大器拓扑结构之前，首先介绍了功率放大器的分类设计。 ;8.2 功率放大器的分类; ② 如果按照晶体管的等效电路分类，则A、B、C三类放大器是属于同一类，它们的特点是：输入均为正弦波，晶体管都等效为一个受控电流源。而D、E、F三类属于另一类功率放大器，它们的特点是：输入是矩形波，晶体管被等效为受输入信号控制的开关，它们的导通角都近似为，都是属于高效率的非线性功率放大器。;8.3 功率放大器的分析;1．输出功率尽可能大 为了获得大的输出功率，要求功放管的电压与电流都有足够大的输出幅度，因此，往往要求其在接近极限运用状态下工作。 2．高效率 由于输出功率大，因此直流电源消耗的功率也大，这就存在一个效率问题。所谓效率就是负载得到的有用信号功率与电源供给的直流功率之比。这个比值越大，意味着效率越高。;3．非线性失真要小 功率放大电路是在大信号条件下工作，所以不可避免地会产生非线性失真，而且同一功放管输出功率越大，非线性失真往往越严重。 4．双极型晶体管的散热问题 在功率放大电路中，有相当大的功率消耗在管子的集电极上，使结间温度和管壳温度都升高。 ;甲乙类放大和乙类放大，虽然减小了静态功耗，提高了效率，但都出现了严重的波形失真。 因此，既要保持静态时管耗小，又要使失真不太严重，这就需要在电路结构上采取措施，加以改进，以便达到预期的效果及功效。;8.4 功 率 器 件;1．表征散热能力的重要参数——热阻 热的传导路径，称为热路。 阻碍热传导的阻力称为热阻。 真空不易传热，即热阻大；金属的传热性好，即热阻小。 2．功率双极型晶体管的散热等效热路 在双极型晶体管中，集电极损耗的功率是产生热量的源泉。 ;8.4.3 微波晶体管功率放大器的结构;8.4.4 功率模块;它的突出特点是： （1）电流大； （2）功耗低； （3）电压和电流范围宽，电压高达1200 V，电流高达400 A。 其具有许多优点： （1）电极与散热片相隔离； （2）型号不同； （3）电路多样化； （4）便于应用。 ;8.4.5 器件不应进入二次击穿区工作;1．二次击穿现象 首先出现一次击穿现象（雪崩击穿），其具有可逆性。 一次击穿出现后，如果继续增大到某数值，则出现二次击穿。 ;2．产生二次击穿的原理 它的物理过程是由于流过双极型晶体管的电流不均匀，造成结面局部高温（称为热斑），因而产生热击穿所致。这与双极型晶体管的制造工艺有关。 3．功率双极型晶体管的安全工作区 功率管的安全工作区，不仅受集电极允许的最大电流、集电极允许的最大电压和集电极允许的最大功耗限制，而且还受二次击穿临界曲线限制。 ;考虑了二次击穿以后，功率双极型晶体管的安全工作范围变小了。 ;8.5 功率放大器的性能分析;1．工作功率增益Gp 工作功率增益Gp的定义是，网络N输出功率 与输入功率 之比，即： 2．转移功率增益Gt 二端口网络的转移功率增益Gt，定义为网络输出功率 与信号源输入的资用功率 之比，即：;3．资用功率增益Ga 二端口网络的资用功率增益Ga，定义为网络输出资用功率 与信号源输出的资用功率 之比，则表示为： ;8.6 稳定性研究与增益分析;8.6.1 理论分析;如果K1，则晶体管是无条件稳定的，此时，设计者能够同时共轭匹配其输入和输出端口，以便获得最高的增益与最佳的输入和输出端口匹配特性。 如果K1，则晶体管的稳定性取决于源和负载阻抗相对于稳定圆的位置，为了阻止晶体管产生振荡，在其输入和输出端不能进行共轭匹配。通过在输入和输出端故意失配，使所提供的输入和输出端匹配网络的反射系数偏离不稳定区域一定的距离，也能够设计出一个可工作的放大器。 ;8.6.2 放大器稳定性判定;负载稳定圆 ;8.6.3 等增益圆;单向转换增益的表达式可分解为三个因子的乘积：;等增益圆簇必须与稳定圆簇联合使用，因为： 当K1时，高增益圆簇可能部分或者全部落入不稳定区域内； 当K1时，最大增益点将位于不稳定区域之内。由于存在不稳定性，所以不得不接受无法达到最大转换增益的现实。 当K1时，能够安全地获得最大增益，通常称之为最大稳定增益（MSG），MSG定义为：