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第五章 合成晶体;什么是晶体;晶体的基本性质（通性）;对称性：在晶体的外形上，也常有相等的晶面、晶 棱和角顶重复出现。这种相同的性质在不同的方向或 位置上作有规律地重复，就是对称性。晶体的格子构 造本身就是质点重复规律的体现。 最小内能 ：在相同的热力学条件下晶体与同种物 质的非晶质体、液体、气体相比较，其内能最小。 稳定性 ：晶体由于有最小内能，因而结晶状态是 一个相对稳定的状态。这就是晶体的稳定性。;人工晶体的分类;相变过程和结晶的驱动力;熔体生长;溶液生长;成核;层状生长理论 晶体常生长成为面平、棱直的多面体形态。 在晶体生长的过程中，环境可能有所变化，不 同时刻生成的晶体在物性(如颜色)和成分等方 面可能有细微的变化，因而在晶体的断面上常 常可以看到带状构造。它表明晶面是平行向外 推移生长的。 由于晶面是向外平行推移生长的，所以同种矿 物不同晶体上对应晶面间的夹角不变。 晶体由小长大，许多晶面向外平行移动的轨迹 形成以晶体中心为顶点的锥状体称为生长锥或 砂钟状构造。 ;合成晶体的方法和技术;熔融法--使晶体原料完全熔化，包含有提拉法、坩埚 相对移动法、区熔法、基座法、冷坩埚法与焰熔法等。 溶液法--使晶体原料溶解在溶液中，具体地包含有水 溶液法、水热法与助熔剂法。水溶液法在常压下生长 晶体，温度约为八、九十摄氏度；水热法是在高温高 压下生长；而助熔剂法则是在常压高温下生长晶体。;气相法;熔融法;提拉法是被普遍采用的晶体生长方法。目前，使用最多的激光晶体Nd:YAG就是采用此法生长的。 ;水平区熔法实验装置示意图如图所示。该法的创始人是美国人Pfann，硅单晶生长初期的提纯即采用此法。 ;底部籽晶水冷法 实验装置如示意图。与提拉法相反，这种生长方法中坩埚上部温度高，下部温度低。 ;人工合成氧化锆即采用冷坩埚法，因为氧化锆的熔点高（～2700℃），找不到合适的坩埚材料。此时，用原料本身作为“坩埚”进行生长 。;溶液法;水热法是一种在高温高压下从过饱和水溶液中进行结晶的方法。;