[理学]23 位错的运动白底.pptVIP

2.3 位错的运动 魏健宁 九江学院 位错的运动电子显微镜观察 刃位错的运动 螺位错的运动 位错的运动 位错可以在晶体中运动，晶体宏观的塑性变形是通过位错运动来实现的 在适当条件下(包括外力作用)，位错会发生运动 （从高能位置转移到低能位置 ） 位错运动的两种最基本形式：滑移和攀移 一、 位错的滑移 位错沿着滑移面的移动称为滑移 保守运动：位错在滑移面上滑动引起滑移面上下的晶体发生相对运动，而晶体本身不发生体积变化。 位错的滑移是在外加切应力的作用下，通过位错中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地作少量的位移（小于一个原子间距）而逐步实现（解释有关临界切应力与理论值差别的现象 ） 1、 刃位错的滑移 1、 刃位错的滑移 对含刃位错的晶体加切应力，切应力方向平行于柏氏矢量，位错周围原子只要移动很小距离，就使位错由位置“1”移动到位置“2”，如图 (a)。 当位错运动到晶体表面，整个上半部晶体相对下半部移动了一个柏氏矢量，晶体表面产生高度为b的台阶，如图(b)。 刃位错移动的方向与b方向一致，和位错线垂直。 1、 刃位错的滑移 刃位错的宏观滑移 刃位错的微观滑移 2、 螺位错的滑移 2、 螺位错的滑移 2、 螺位错的滑移 虚线所示螺旋线为其原始位置，在切应力作用下，当原子做很小距离的移动时，螺位错本身向左移动了一个原子间距，到图中实线螺旋线位置，滑移台阶(阴影部分)亦向左扩大了一个原子间距。 螺位错不断运动，滑移台阶不断向左扩大，当位错运动到晶体表面，晶体的上下两部分相对滑移了一个柏氏矢量，移动方向与b垂直。 螺位错的宏观滑移 螺位错的微观滑移 2、 螺位错的交滑移 因螺位错b与t平行，故通过位错线并包含b的所有晶面都可能成为它的滑移面。 当螺位错在原滑移面运动受阻时，可转移到与之相交的另一个滑移面上去这样的过程叫交叉滑移，简称交滑移。 3 、混合型位错的滑移 位错环的滑移 3 、混合型位错的滑移 沿柏氏矢量b方向作用一切应力，位错环将不断扩张，最终跑出晶体，使晶体沿滑移面相对滑移了b 不论位错如何移动，晶体的滑移总是沿柏氏矢量相对滑移，所以晶体滑移方向就是位错的柏氏矢量方向 4、 晶格阻力（派-纳力） 刃型位错具有唯一的滑移面 螺位错具有多个滑移面 位错滑移的驱动力（不一定是外应力，也可能是其他应力场 ） 点阵阻力 ：在周期性的结构中，位错从一个状态到另一个状态时，需要越过一个能垒，这就是一种阻力，这种阻力具有周期性，称为点阵阻力，又称派纳(派尔斯-纳巴罗)力 4、 晶格阻力（派-纳力） 派—纳力(Peierls—Nabarro) 晶格阻力 二、 位错的攀移 二、 位错的攀移 刃型位错在垂直滑移面的方向上运动即发生攀移 攀移的实质是多余半原子面的伸长或缩短。通常把多余半原子面向上移动称正攀移，向下移动称负攀移，如图。 当空位扩散到位错的刃部，使多余半原子面缩短叫正攀移，如图（a）。 当刃部的空位离开多余半原子面，相当于原子扩散到位错的刃部，使多余半原子面伸长，位错向下攀移称为负攀移，如图（c）。 位错的攀移 位错的攀移 攀移与滑移的比较 攀移时伴随物质的迁移，需要空位的扩散，需要热激活，比滑移需要更大能量。低温攀移较困难，高温时易攀移。 攀移通常会引起体积的变化，故属非保守运动。 作用于攀移面的正应力有助于位错的攀移，压应力将促进正攀移，拉应力可促进负攀移，晶体中过饱和空位也有利于攀移。 割阶 割阶：攀移过程中，不可能整列原子同时附着或离开，所以位错(即多余半原子面边缘)要出现割阶（割阶是原子附着或脱离多余半原子面最可能的地方 ） 割阶 扭折 重点、难点 对刃型位错，运动方式有滑移和攀移两种 对螺型位错，则只能滑移，但由于其滑移面不是唯一的，故可进行交滑移或双交滑移 派—纳力 * 位错的滑移动画 图 螺位错的交滑移 其中G为切变模，ν为泊桑比，a为晶面间距，b为滑移方向上原子间距 a最大、b最小时τp最小，故滑移面应是晶面间距最大的最密排面，滑移方向应是原子最密排方向，此方向b一定最小。 刃型位错正攀移 刃型位错负攀移 刃型位错的攀移（a）正攀移（b）原始位置（c）负攀移 位错的攀移动画 * * *