《电工电子技术》-第七章 常用半导体器件.pptVIP

7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.1 半导体二极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.2 半导体三极管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.3 场效应管 7.4 晶闸管 7.4 晶闸管 7.4 晶闸管 7.4 晶闸管 7.4 晶闸管 7.4 晶闸管 7.4 晶闸管 7.4 晶闸管 7.4 晶闸管 7.4 晶闸管 7.4 晶闸管 一、 场效应管的分类、结构、符号、特性曲线 根据结构的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应 管（JFET）和金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）。 结型场效应管（Junction Field Effect Transistor）是利用 半导体内的电场效应进行工作的， 所以又称体内场效应器件，它有 N沟道和P沟道之分，右图示出了 N沟道结型场效应管的结构及工 作原理示意图。 ID + UDS － － UGS + D S N P+ P+ G 在一块N型半导体材料两边高浓度扩散制造两个重掺杂的 P+区，形成了两个PN结。两个P+区接在一起引出栅极G，两个 PN结之间的N型半导体构成导电沟道，在N型半导体的两端分 别引出源极S和漏极D。由于N型区结构对称，所以其源极和漏 极可以互换使用。 N沟道结型场效应管工作时，为了保证其高输入电阻的特 性，栅-源之间需加一负电压UGS。使栅极与沟道之间的PN结 反偏。在漏-源之间加一正电压UDS，N沟道中的多数载流子 （电子）将源源不断地由源极向漏极运动，从而形成漏极电流 ID。UGS和UDS的大小直接影响着导电沟道的变化，因而影响着 漏极电流的变化。UGS控制沟道的宽窄，当UGS由零向负值增 大时，沟道由宽变窄，沟道电阻由小变大，当│UGS│增大到 “夹断电压”UGS(off)时, 沟道被全部“夹断”, 沟道电阻趋于无穷。 UDS控制沟道的形状，在UGS为一固定值时，若UDS=0，沟道由 漏极到源极呈等宽性, ID=0; 当UDS0时, 由于│UGD││UGS│, 沟道不再呈等宽性. 而呈楔形, 此时，ID随UDS的增大而增大； 当UDS增大到使UGD=UGS(off)时, 沟道首先在靠近漏极处被夹断, 此后，若继续增大UDS，夹断点由漏极向源极移动，ID基本不 再增加，趋于饱和。 MOS场效应管简称MOS管，它是利用半导体表面的电场 效应进行工作的，也称表面场效应管。由于其栅极处于绝缘状 态，故又称绝缘栅场效应管。MOS管可分为增强型与耗尽型两 种类型，每类又有N沟道和P沟道之分，所以共有四类MOS管。 下图为增强型NMOS管的结构及工作原理示意图。 UDS － + UGS － + N+ P型硅衬底 D S G 半导体 N+ 绝缘层(SiO2) 金属电极 B 它以P型硅片作为衬底，其上扩散两个重掺杂的N+区，分别 作为源区和漏区，并引出源极S和漏极D，在源区和漏区之 间的衬底表面覆盖一层很薄（约0.1μm）的绝缘层（SiO2）, 并在其上蒸铝引出栅极G。从垂直衬底的角度看，这种场效 应管由金属(铝)-氧化物(SiO2)-半导体构成，故称为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）。 由上页图可以看出，当UGS=0时，源区和漏区之间被P型 衬底所隔开, 形成了两个背靠背的PN结, 不论UDS的极性如何, 其中总有一个PN结是反偏的，电流总为零，管子处于截止状 态。当UGS0时，栅