第章__可编程逻辑器件.pptVIP

第六章 可编程逻辑器件 6.1 概述 6.2 只读存储器 6.5 随机存储器 6.1 概述 计算机中的 存储器 半导体存储器 是一种能存储大量二值信息的半导体器件。 衡量存储器性能的重要指标： 存储量 存取速度 半导体存储器的分类 读写方式 并行：数据并行读出或写入 串行：数据串行读出或写入 半导体存储器总体结构 ROM电路结构框图 地址译码器 EPROM 特点 使用专门的编程器（烧写器）进行编程 紫外线擦除原有信息 可编程几十次 常在科研开发中用作程序存储器 6.5 随机存储器(RAM) 静态随机存储器（SRAM） 动态随机存储器（DRAM） 存储器的扩展 位扩展 字扩展 字位扩展 小结：位扩展的方法： 各芯片的I/O端各自引出，作为整个RAM I/O数据端的一位。 芯片的地址线并联，和系统地址总线相连。 片选和读写控制信号并联。 小结：字扩展的方法： 各芯片的数据线并联，和系统数据总线相连。 芯片的地址线并联，和系统地址总线低位相连。 系统地址总线高位接译码器，译码器输出用作各芯片的片选信号。译码器输入是增加的地址线。 读写控制信号并联。 字位扩展方式 先进行位扩展 后进行字扩展 如用4片4×1构成8×2 用4片4×1构成8×2 * * CPU CACHE 主存（内存） 辅存（外存） 半导体 存储器 只读存储器 （ROM） 随机存取存储器 （RAM） 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） 掩膜式ROM 一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM） 电擦除可编程ROM（EEPROM） 快闪存储器(Flash Memory) 地 址 寄 存 地 址 译 码 存储体 控制电路 AB 数 据 寄 存 读 写 电 路 DB OE WE CS 掩膜式ROM 一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM） 电擦除可编程ROM（EEPROM） 快闪存储器(Flash Memory) 6.2 只读存储器（ROM） 地址 译码 存储 矩阵 输出 控制 地址输入 三态控制 2/4 4单元存储器 Y0 Y3 A1 A0 大容量系统 高 慢 极间电容 DRAM 小容量系统 低 快 触发器 SRAM 应用 集成度 速度 存储单元 行 地 址 译 码 器 列地址译码器 存储矩阵 读 写 控 制 电 路 A0 Ai Ai+1 An-1 CS R/W SRAM的结构框图 位扩展:用8片SRAM 1024 ×1构成1K×8 字扩展：用4片SRAM 256×8 构成1024×8位 4×1构成4×2 4×2构成8×2