电子技术第版第章半导体器件.pptVIP

* * * * * * * * * * * 第1章 半导体器件 §1.1 半导体的基本知识与PN结 §1.2 半 导 体 二 极 管 §1.3 稳 压 管 §1.4 晶 体 三 极 管 §1.5 场 效 应 晶 体 管 §1.6 光 电 器 件 前一页 后一页 节目录 退出 第1章 半 导 体 器 件 半导体—导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 §1.1 半导体的基本知识与PN结 一、半导体的导电性能 1．本征半导体 纯净半导体中有两种载流子（自由电子和空穴），两种载流子的浓度相等。 2．杂质半导体 本征半导体的导电能力很弱，如掺入微量的其他元素就会使其导电能力发生显著变化，这些微量元素的原子称为杂质。 前一页 后一页 节目录 退出 （1）N型半导体 （2）P型半导体 在四价元素硅晶体中掺入三价元素的硼。 N型半导体的多数载流子为自由电子，半导体主要靠自由电子导电。 P型半导体的多数载流子为空穴，半导体主要靠空穴导电。 3．半导体的性能 （1）热敏性—环境温度对半导体导电能力影响很大。 （2）光敏性—光照射时，半导体的载流子数量急剧增加。 前一页 后一页 节目录 退出 在四价元素硅晶体中掺入五价元素的磷。 二、PN结及其单向导电性 2．PN结的单向导电性 前一页 后一页 节目录 退出 1．PN结的形成 §1.2 半导体二极管 1.图形符号 2.类型 ① 点接触型 ② 面接触型 二、二极管伏安特性 三、主要参数 （1）最大正向电流 （2）最高反向工作电压 （3）最大反向电流 前一页 后一页 节目录 退出 一、基本结构 四、二极管的应用 应用：整流、检波、限幅、钳位 理想伏安特性： 前一页 后一页 节目录 退出 [例1.2.1] 前一页 后一页 节目录 退出 [例1.2.2] 前一页 后一页 节目录 退出 §1.3 稳 压 管 稳压管——经过特殊工艺制成的面接触型二极管 1.图形和文字符号 前一页 后一页 节目录 退出 注意： 2.伏安特性曲线 §1.4 晶体三极管一、基本结构 前一页 后一页 节目录 退出 二、电流分配和电流放大作用 前一页 后一页 节目录 退出 （2）三极管具有电流 放大作用。 （1）三个电极的电流 符合KCL 电流放大系数 三、特性曲线 2.输出特性 前一页 后一页 节目录 退出 1.输入特性 四、主要参数： （2）极间反向电流 集、基极间反向饱和电流 （1）电流放大系数β 集、射极间穿透电流 (３) 极限参数 集电极最大允许电流 集电极最大允许耗散功率 前一页 后一页 节目录 退出 反向击穿电压 五、复合晶体管 前一页 后一页 节目录 退出 §1.5 场效应晶体管 场效应晶体管（FET）是一种利用电场效应控制其电流大小的半导体三极管。 前一页 后一页 节目录 退出 一、绝缘栅型场效应管（MOSFET） 四、主要参数： （1）跨导 前一页 后一页 节目录 退出 （3）最大漏、源击穿电压 （4）漏极最大耗散功率 （2）通态电阻 在UGS确定的情况下，场效应管进入饱和导通时，漏、源之间的电阻值 §1.6 光电器件 一、显示器件 发光二极管——将电能转换为光能 功能：二极管正向导通时，由于空穴和电子的复 合而放出能量，发出一定波长的可见光。 特点：驱动电压低，工作电流小，抗振动、 抗冲击 力强，体积小，可靠性强。 符号： 前一页 后一页 节目录 退出 二、光敏器件 1.光敏二极管 功能：二极管的PN结反向电流具有光敏性，当有 光照射时，其反向电流将随光射强度的增 加而线性增加。 符号及特性曲线： 前一页 后一页 节目录 退出 2.光敏三极管 组成：光敏二极管和三极管结合即构成光敏三极管 特点：灵敏度提高了β倍，响应时间也相应增加。 符号及特性曲线： 前一页 后一页 节目录 退出 三、光电耦合器 组成：将发光器件和光敏器件组装在一起。 特点： （1）绝缘电阻高，可承受2000V以上高压。 （2）具有极强的抗干扰能力。 （3）具有极强的传递速度。 前一页 后一页 节目录 退出 发光二极管 光敏三极管 光信号 电信号 电信号 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *