ds18b20温度转换.docVIP

DS18B20 一、初始化 1、步骤： 1)、有总线控制器发出复位脉冲 2)、从机发出存在脉冲。（存在脉冲让总线知道DS15B20在总线上已准备好操作、一旦总线控制器探测到一个存在脉冲，就可以发出ROM命令） 2、初始化过程“复位”和“存在”脉冲 3、过程： 送 1 复位——送 0 拉低（800us）——送 1 产生一个上升沿（50us）——检测低电平——检测高电平 4、程序： init_1820()//1820初始化 { unsigned char a,b,c; p23=1;//复位 p23=0;//拉低800us for(b=2;b0;b--) for(a=200;a0;a--); p23=1;//产生一个上升沿, 进入等待应答状态 for(b=1;b0;b--)//延时50us for(a=25;a0;a--); while(p23==1); while(p23==0);//检测到应答脉冲 } 二、写 Ds18b20的数据读写是通过时间间隙处理和命令来确认信息交换 1、步骤： 1）主机把数据从逻辑高电平拉到低电平，写时间间隙开始（写时间间隙必须最少持续60us，包括两个写周期至少1us的恢复时间。） 2）I/O线电平拉低后，DS18B20在一个15us到60us的时候对I/O线采样。如果线上为高电平，就是写1，如果线上是低电平，就是写0 2、写时序图： 写0：先把数据线拉低15us，然后在至少保持15us的低电平，进行写0（数据线必须被拉至逻辑低电平且至少保持30us），然后必须拉高恢复（至少1us，不用考虑）。 写1：数据线必须被拉至逻辑低电平（至少1us，不用考虑）然后在从开始的15us内（也就是14us内）拉至到电平， 3、程序 写0： write0()//写0 { uchar a,b; DQ=0;//拉低 for(a=6;a0;a--);//拉低15us for(a=21;a0;a--); //送入0至少45us，DS1820采样，（其实15us就行） //总共拉低至少60us //或for(b=15;b0;b--)//60us //for(a=2;a0;a--); DQ=1;//拉高恢复（至少1us） _nop_(); } 写1： write1()//写1 { DQ=0;//拉低（至少1us） _nop_(); DQ=1;//15us之内送入高电平（其实不用非得15us之内） _nop_(); } 三、读 1、步骤： 1)主机把数据线从高电平拉至低电平时，产生读时间片 2)数据线必须保持低电平至少1us，读1820输出的数据在读时间片后的15us内有效（在读之前必须停止送低电平（也就是送高电平）——低电平1us后直接拉高等待读数据） 3)读时间片的最短持续时间为60us，各个读时间片之间要有最短为1us的恢复时间 2、读时序 3、程序 uchar ds1820rd()//读数据 { uchar a,b,i,dat = 0,dat1 = 0; for (i=8;i0;i--) { DQ = 0; //给脉冲信号延时1us _nop_(); DQ = 1; //给脉冲信号 准备读数据 if(DQ)//读 判为1为0 {dat|=0x01;} else {dat=0xfe;} dat=_cror_(dat,1); for(b=3;b0;b--)//延时60us for(a=8;a0;a--); } return(dat); } 四、温度准换流程 1、ROM操作命令 Skip ROM（“跳过”ROM）[CCh] 在单点总线系统中此命令通过允许总线主机不提供64位ROM编码而访问存储器操作节省时间。（在多于一个的从属器件责不可以使