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电子工厂洁净厂房的设计施工规范要则
第九届中国国际洁净技术论坛 1/19 《电子工厂洁净厂房的设计施工规范》要则
《电子工厂洁净厂房的设计施工规范》要则
陈霖新
中国电子工程设计院
《电子工厂洁净厂房设计规范》和《洁净厂房施工验收规范》都已列入国家建设部《二00五
年工程建设标准定额制订修订计划第二批》(建标函),主编单位分别是中国电子工程设
计院和中国电子工程设计院、中电建设二公司。两个规范的编写工作正在主编单位的努力下,稹报
进行送审稿和征求意见稿的编写。现将两个规范的主要情况介绍如下。
一、电子工厂洁净厂房的特点
近年来以集成电路生产、TFToLCD液晶显示器生产用洁净厂房为代表的电子工厂洁净厂房发展
迅速,由于集成电路生产的关键技术以每隔两年就会有一次飞跃,集成度每三年翻四倍,集成度的
u
不断增大,其特征尺寸(线宽)日益缩小,目前特征尺寸为0.05ITI的动态随机存取存储器已投入
生产,因此集成电路洁净厂房设计中,微粒控制粒径日益缩小;而且对化学污染物的控制要求也十
分严格,包括重金属、有机物等,见表l、表2。TFToLCD液晶显示器生产已经进入第八代产品,
液晶显示器的尺寸已由第3.5代的620×750mm增大至第九代的2160×2400nl//1,液晶显示器用洁
净厂房与集成电路洁净厂房有相同处,也具有其特点,表3是第5代洁净厂房与8”晶园集成电路洁
净厂房的对比。
表1.集成电路对化学污染物的控制指标
2009.2010
年份 1995 1997200120032007
DRAM集成度 64M 256M 1G 4G 16G 64G
纯度(um) O.35 0.25 0.18.1.15 0.13 0.10 0.07
硅片直径(mm) 200 200 300 300 400-450400.450
受控粒子尺寸
O.12 0.08 0.06 0.04 O.03 O.02
(11m)
粒子数 ●
1400 950 500 250 200 150
(栅清洗)(个/m2)
重金属(Fe)
5×10lo 2.5×10lo 1×10lo 5×109 2.5×109 2.5×109
(原子/cm2)
有机物(C)(原子/cm2)1×1014 5×1013 3×1013 I×1013 5×1012 3×1012
15
第九届中国国际洁净技术论坛 2/19 《电子工厂洁净厂房的设计施工规范》要则
表2.主要化学污染源
化学污染 污染物质 化学污染 污染物质
室外空气 NOx、SOx、Na、Cl等 油漆 金属离子、甲苯、二甲苯
HEPA、ULPA
B 混凝土 NH3、Ca
(玻璃丝滤料)
人 NH3、丙酮、Na、CI 密封剂 硅氧烷
防静电材料(墙、地板、 PH3、PF3、P
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