电工学课件20121205chapter14章节.pptVIP

作业 14.5.4 * * 第14章 半导体二极管和三极管 14.3 半导体二极管 14.4 稳压二极管 14.5 半导体三极管 14.2 PN结 14.1 半导体的导电特性 第14章 半导体二极管和三极管 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。 14.1 半导体的导电特性 半导体的特性： 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 半导体：导电能力介乎导体和绝缘体之间。 14.1.1 本征半导体的导电机理 本征半导体：完全纯净的、具有晶体结构的半导体。 14.1 半导体的导电特性 晶体：将半导体提纯后形成的单晶体，原子排列整齐。 共价健 价电子 Si Si Si Si 半导体两端加上外电压 (1)自由电子定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 自由电子和空穴形成动画 自由电子和空穴成对地产生和复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 N型半导体（电子半导体）：在半导体中掺杂入磷或其它五价元素。加入量比较少，不改变原来的晶体结构。其中1个价电子成为自由电子，自由电子导电成为主要导电方式。 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 失去一个电子变为正离子 自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 14.1 半导体的导电特性 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 P型半导体（空穴半导体）：在半导体中掺杂入硼或其它三价元素，掺杂后空穴数目大量增加，相邻原子的价电子受到激发来填补空穴，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式。 空穴是多数载流子， 自由电子是少数载流子。 Si Si Si Si B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 注意：无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结 14.2.1 PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － PN结的形成动画 14.2.2 PN结的单向导电性 PN 结加正向电压（P接正N接负）时：内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 14.2 PN结 PN结的单向导电性动画 PN 结加反向电压（P接负N接正）时，内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 (a) 点接触型：结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。 (b)面接触型：结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。 (c) 平面型：用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于大功率整流和开关电路中。 金属触丝 阳极引线 N 型锗片 阴极引线 外壳 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 阴极 阳极 D 14.3.2 伏安特性 硅管0.5V 锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 14.3 半导体二极管 14.3.3 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二